| 主权项 |
1.一种焊垫设计,包括:一晶片,该晶片上至少具有一接合垫;一保护膜,覆盖于该晶片上,其中该保护膜至少具有二窗口,分别暴露出该接合垫之不同区域;以及一凸块,透过其中之一该窗口放置于该接合垫上;另一该窗口暴露出该接合垫系用以作为一测试垫。2.如申请专利范围第1项所述之焊垫设计,其中该接合垫之材料包括铝。3.如申请专利范围第1项所述之焊垫设计,其中该凸块包括铜。4.如申请专利范围第1项所述之焊垫设计,其中该晶片上具有复数个接合垫,该些接合垫上之该些凸块系成阵列配置于该晶片中央。5.如申请专利范围第4项所述之焊垫设计,其中每一该接合垫上之该测试垫系配置于每一该接合垫上之该凸块一侧。6.一种焊垫设计,包括:一晶片;至少一接合垫,位于该晶片上;至少一测试垫,位于该晶片上,该测试垫与该接合垫以一导线电性相接;一凸块,放置于该接合垫上。7.如申请专利范围第6项所述之焊垫设计,其中该接合垫之材料包括铝。8.如申请专利范围第6项所述之焊垫设计,其中该凸块包括铜。9.如申请专利范围第6项所述之焊垫设计,其中该测试垫位于该接合垫侧边,且该接合垫与该测试垫位于该晶片中央。10.如申请专利范围第6项所述之焊垫设计,其中该接合垫位于该晶片中央,而该测试垫位于该晶片之一侧。11.一种焊垫设计,包括:一晶片,其上至少具有一接合垫;一重置层,位于该晶片之上,该重置层之一部份与该接合垫电性相接;一保护膜,包覆该重置层未与该接合垫相接之部分,该保护膜暴露出该重置层之一第一区域与一第二区域;一凸块,放置于该重置层之第一区域,其中该重置层之该第二区域系用以作为一测试垫。12.如申请专利范围第11项所述之焊垫设计,其中该凸块包括铜。13.如申请专利范围第11项所述之焊垫设计,其中该第一区域与该第二区域之间之该重置层厚度小于10um。图式简单说明:第1图绘示为习知的一种封装结构简示图;以及第2图绘示依照本发明一较佳实施例的一种焊垫设计结构简示图;第3图绘示依照本发明一较佳实施例的另一种焊垫设计结构简示图;第4图绘示为依照本发明一较佳实施例的焊垫设计布局上视图;以及第5图绘示依照本发明一较佳实施例焊垫设计的另一种布局上视图。 |
