| 主权项 |
1.一种蚀刻接触孔的方法,以穿过氧化层而抵至基底之矽层,该方法实施在一低压、高密度之电浆处理室中,包括:提供一包括矽层的基底;将该基底置入电浆室中;实施一接触蚀刻,其包括蚀刻该穿过氧化层而抵至基底矽层的接触孔,该接触蚀刻利用包括碳种及氟种的第一电浆;及其后,同时剥除该接触蚀刻中设置在氧化层上的光阻罩,并软蚀刻该接触孔底部的矽层表面,包括下述步骤:在电浆处理室中通以包括碳氟化合物及O2的蚀刻剂气体,从蚀刻剂气体形成第二电浆,及利用来自蚀刻剂气体的第二电浆,以同时进行剥除及软蚀刻。2.如申请专利范围第1项的方法,其中该碳氟化合物为CF4。3.如申请专利范围第1项的方法,其中该电浆处理室为电感室耦合电浆处理室。4.如申请专利范围第1项的方法,其中该同时剥除及软蚀刻步骤又包括在使用该第二电浆之步骤期间松开基底之步骤。5.如申请专利范围第4项的方法,其中该同时剥除及软蚀刻步骤又包括在松开基底的步骤之后及使用该第二电浆之步骤期间,升起基底之步骤。6.如申请专利范围第1项的方法,其中该层为形成平板显示器的玻璃平面基底。7.如申请专利范围第1项的方法,其中该同时剥除及软蚀刻执行一段时间,该预定的一段时间足以降低后续沈积之接触材料及该矽层间的接触电阻。8.如申请专利范围第1项的方法,其中在同时进行剥除及软蚀刻时,该电浆处理室的偏压功率位准实质为0。9.如申请专利范围第1项的方法,其中执行该同时剥除及软蚀刻时,该层从夹盘上松开,该夹盘在该接触蚀刻中支持该层。10.一种同时剥除光阻掩罩及软蚀刻之方法,该光阻掩罩系用于在低压、高密度之电浆处理室中,蚀刻穿透氧化层而抵至基底矽层之接触孔,该软蚀刻系软蚀刻该接点孔的底部之该矽层的表面,该同时剥除及软蚀刻系用以实质地移除该光阻掩罩并降低该接触孔底部的接触电阻,该方法包括:在形成该接触孔后且在以实质导电材料填入该接点孔之前,通以包括碳氟化合物及氧的蚀刻剂气体至电浆处理室中;从该蚀刻剂气体形成一电浆;将该电浆用于该同时剥除及软蚀刻,该同时剥除及软蚀刻执行一段时间以便足以降低该矽基底及该实质导电材料间的接触电阻,该实质导电材料系随后沈积于该接触孔内。11.如申请专利范围第10项的方法,其中以包括碳种及氟种的电浆,执行该同时剥除及软蚀刻之前的该蚀刻接触孔步骤。12.如申请专利范围第10项的方法,其中该同时剥除及软蚀刻步骤又包括在使用该第二电浆的步骤期间松开基底之步骤。13.如申请专利范围第12项的方法,其中该同时剥除及软蚀刻步骤又包括在松开基底之该步骤之后及使用该第二电浆之步骤期间升起基底之步骤。14.如申请专利范围第10项的方法,其中该碳氟化合物为CF4。15.如申请专利范围第10项的方法,其中该电浆处理室为电感耦合电浆处理室。16.如申请专利范围第10项的方法,其中在每一基底之该接触孔蚀刻后同时实施该剥除及软蚀刻。17.如申请专利范围第10项的方法,其中在同时进行剥除及软蚀刻时,该电浆处理室的偏压功率位准实质为0。18.如申请专利范围第10项的方法,其中执行该同时剥除及软蚀刻时,该层从夹盘上松开,该夹盘在该接触蚀刻中支持该层。19.一种蚀刻接触孔的方法,该方法蚀刻接触孔穿过氧化层而抵至基底之单晶矽层,该方法在离子密度高于约1013离子/cm3的电浆处理室中执行,包括:提供包括该单晶矽层的基底;将该基底定位于该电浆处理室中;实施接触蚀刻,其包括蚀刻该穿过氧化层而抵至该单晶矽层的接触孔,该接触蚀刻利用包括碳种及氟种的第一电浆;及其后,同时剥除该接触蚀刻中该电浆处理室内吸附的副产物及软蚀刻该接触孔底部的该单晶矽层,包括下述步骤:在电浆处理室中通以包括碳氟化合物及O2的蚀刻剂气体;从蚀刻剂气体形成第二电浆,及将来自蚀刻剂气体的第二电浆用于该同时剥除及软蚀刻,藉此该同时剥除及软蚀刻系在用以执行该接触蚀刻之相同的电浆室中执行,且在以实质导电材料填入该接触孔前实施该同时剥除及软蚀刻。20.如申请专利范围第19项的方法,其中该同时剥除及软蚀刻之步骤又包括在使用该第二电浆期间松开基底之步骤。21.如申请专利范围第19项的方法,其中同时剥除及软蚀刻步骤又包括在松开基底之该步骤之后及使用该第二电浆之步骤期间升起基底之步骤。22.如申请专利范围第19项的方法,其中该同时剥除及软蚀刻执行一段时间以足以将随后沈积的接触材料及该单晶矽层间的接触电阻降低。23.如申请专利范围第19项的方法,其中该同时剥除及软蚀刻时,该电浆处理室的偏压功率位准实质为0。24.如申请专利范围第19项的方法,其中执行该同时剥除及软蚀刻时,该层从夹盘上松开,该夹盘在该接触蚀刻中支持该层。图式简单说明:图1描述一简化的层堆叠,包括一矽层、一氧化包含层104及一光阻光罩。图2中,显示接触孔穿过图1之层堆叠的氧化层。图3说明一TCPTM9100电浆反应室的简图,表示一适用于本发明之电浆处理室。图4说明依据本发明一实施例的处理步骤,包含在低压、高密度的电浆处理适中,形成透过氧化层抵至矽层的接触孔。图5描述依据本发明另一实施例之剥除制程,其包括三个步骤。 |
