| 主权项 |
1.一种化学研磨修整器,系使用于化学研磨制程中之研磨垫修整时使用,该化学研磨修整器至少包含:一基材,具有排列整齐之复数个凸起颗粒;一氮化钛薄膜,覆盖于该些凸起颗粒;及一类钻碳薄膜,覆盖于该沈积氮化钛薄膜。2.如申请专利范围第1项所述之化学研磨修整器,其中上述之基材包含使用不锈钢材质。3.如申请专利范围第1项所述之化学研磨修整器,其中上述之凸起颗粒包含由机械切削加工而成之金字塔形状。4.如申请专利范围第3项所述之化学研磨修整器,其中上述之金字塔形状之凸起颗粒之底部长度及宽度约为10m至5mm。5.如申请专利范围第3项所述之化学研磨修整器,其中上述之金字塔形状之凸起颗粒之顶部长度及宽度小于5mm。6.如申请专利范围第3项所述之化学研磨修整器,其中上述之金字塔形状之凸起颗粒之高度约为10m至3mm。7.如申请专利范围第1项所述之化学研磨修整器,其中上述之氮化钛薄膜之厚度约为10m至2000m。8.如申请专利范围第1项所述之化学研磨修整器,其中上述之类钻碳薄膜之厚度约为5m至500m。9.如申请专利范围第1项所述之化学研磨修整器,其中上述之凸起颗粒系包含以放电加工制造形成。10.如申请专利范围第1项所述之化学研磨修整器,其中上述之凸起颗粒包含使用精密铸造方式形成。11.如申请专利范围第1项所述之化学研磨修整器,其中上述之凸起颗粒包含使用照相蚀刻方式形成。12.如申请专利范围第1项所述之化学研磨修整器,其中上述之凸起颗粒包含圆柱型凸起颗粒。13.如申请专利范围第1项所述之化学研磨修整器,其中上述之凸起颗粒包含圆锥型凸起颗粒。14.如申请专利范围第1项所述之化学研磨修整器,其中上述之凸起颗粒包含多角柱型凸起颗粒。15.如申请专利范围第1项所述之化学研磨修整器,其中上述之凸起颗粒包含多角锥型凸起颗粒。16.一种化学研磨修整器,系使用于化学研磨制程中之研磨垫修整时使用,该化学研磨修整器至少包含:一不锈钢基材,具有排列整齐之复数个金字塔型凸起颗粒;一沈积氮化钛薄膜,覆盖于该些金字塔型凸起颗粒;及一沈积类钻碳薄膜,覆盖于该沈积氮化钛薄膜。17.如申请专利范围第16项所述之化学研磨修整器,其中上述之金字塔型凸起颗粒之底部长度及宽度约为10m至5mm。18.如申请专利范围第16项所述之化学研磨修整器,其中上述之金字塔型凸起颗粒之顶部长度及宽度小于5mm。19.如申请专利范围第16项所述之化学研磨修整器,其中上述之金字塔型凸起颗粒之高度约为10m至3mm。20.如申请专利范围第16项所述之化学研磨修整器,其中上述之沈积氮化钛薄膜之厚度约为10m至2000m。21.如申请专利范围第16项所述之化学研磨修整器,其中上述之沈积类钻碳薄膜之厚度约为5m至500m。22.如申请专利范围第16项所述之化学研磨修整器,其中上述之金字塔型凸起颗粒包含使用机械加工制造形成。23.如申请专利范围第16项所述之化学研磨修整器,其中上述之金字塔型凸起颗粒包含使用放电加工制造形成。24.如申请专利范围第16项所述之化学研磨修整器,其中上述之金字塔型凸起颗粒包含使用精密铸造方式形成。25.如申请专利范围第16项所述之化学研磨修整器,其中上述之金字塔型凸起颗粒包含使用照相蚀刻方式形成。26.一种化学研磨修整器的制造方法,至少包含:提供一基材;加工该基材,使其具有排列整齐之复数个金字塔型凸起颗粒;沈积一氮化钛薄膜,覆盖于该些金字塔型凸起颗粒;及沈积一类钻碳薄膜,覆盖于该氮化钛薄膜。27.如申请专利范围第26项所述之制造方法,其中上述之基材包含使用不锈钢材质。28.如申请专利范围第26项所述之制造方法,其中上述之加工该基材包含机械切削加工。29.如申请专利范围第26项所述之制造方法,其中上述之金字塔型凸起颗粒之底部长度及宽度约为10m至5mm。30.如申请专利范围第26项所述之制造方法,其中上述之金字塔型凸起颗粒之顶部长度及宽度小于5mm。31.如申请专利范围第26项所述之制造方法,其中上述之金字塔型凸起颗粒之高度约为10m至3mm。32.如申请专利范围第26项所述之制造方法,其中上述之氮化钛薄膜之厚度约为10m至2000m。33.如申请专利范围第26项所述之制造方法,其中上述之类钻碳薄膜之厚度约为5m至500m。34.如申请专利范围第26项所述之制造方法,其中上述之金字塔型凸起颗粒包含以放电加工制造形成。35.如申请专利范围第26项所述之制造方法,其中上述之金字塔型凸起颗粒包含使用精密铸造方式形成。36.如申请专利范围第26项所述之制造方法,其中上述之金字塔型凸起颗粒包含使用照相蚀刻方式形成。图式简单说明:第一图为本发明之化学研磨垫修整器之制造流程示意图;及第二图为本发明之化学研磨垫修整器之参数说明及形状示意图。 |
