| 主权项 |
1.一种积层陶瓷电子元件之制造方法,其特征在于,具备:在陶瓷生坯之导体层形成区域之周围形成辅助陶瓷层之制程;于该陶瓷生坯之被该辅助陶瓷层所包围之导体层形成区域的既定位置,形成让透过陶瓷层所配置的导体层相互连接之导通孔用贯通孔之制程;于该陶瓷生坯之被该辅助陶瓷层所包围的区域形成导体层之制程;将形成有该辅助陶瓷层及该导体层的陶瓷生坯做积层、压接,来形成该导体层系经由贯通孔做相互连接的积层体之制程;将该积层体加以烧成来形成烧结体之制程;以及在烧结体的表面之既定部分涂敷电极糊、进行烘烤,来形成与该烧结体的导体层导通之外部电极之制程。2.如申请专利范围第1项之积层陶瓷电子元件之制造方法,其中:该贯通孔系以绕射光栅所分光的雷射光束照射陶瓷生坯所形成者。3.如申请专利范围第1或2项之积层陶瓷电子元件之制造方法,其中:该陶瓷生坯及该辅助陶瓷层系以磁性体陶瓷为主要成分。4.如申请专利范围第1或2项之积层陶瓷电子元件之制造方法,系让透过该陶瓷生坯积层之该导体层经由该贯通孔来导通而形成线圈,以形成积层型电感器。5.如申请专利范围第3项之积层陶瓷电子元件之制造方法,系让透过该陶瓷生坯积层之该导体层经由该贯通孔来导通、形成线圈,以形成积层型电感器。6.一种积层陶瓷电子元件,其特征在于,系在积层陶瓷元件的表面,配置与其导体层导通的外部电极而成;该积层陶瓷元件,系至少将(a)具备由雷射加工所形成的微细导通孔之陶瓷层、(b)透过该陶瓷层所配置、且经由该导通孔做相互连接的复数之导体层、(c)配置在该导体层周围的辅助陶瓷层进行积层且烧结成一体而构成。7.如申请专利范围第6项之积层陶瓷电子元件,其中:该陶瓷层及辅助陶瓷层系以磁性体陶瓷为主成分。8.如申请专利范围第6或7项之积层陶瓷电子元件,系一具备该导体层经由该导通孔做相互连接所形成的线圈的积层型电感器。图式简单说明:图1是显示有关本申请发明一实施形态的积层陶瓷电子元件(积层型电感器)的制造方法的一制程图,(a)是显示在磁性体生坯上形成辅助磁性体层之状态的立体图,(b)显示在形成有辅助磁性体层的磁性体生坯的既定位置上形成有导通孔用贯通孔之状态的图,(c)显示在磁性体生坯之未形成辅助磁性体层的区域形成有导体层之状态的立体图。图2是显示本申请发明之实施形态的变形例的图,(a)是显示在磁性体生坯形成有辅助磁性体层及导通孔用贯通孔之状态的图,(b)是在磁性体生坯之未形成辅助磁性体层的区域形成有导体层之状态的立体图。图3是显示有关本申请发明一实施形态的积层陶瓷电子元件(积层型电感器)内部结构的分解立体图。图4是显示有关本申请发明一实施形态的积层陶瓷电子元件(积层型电感器)的立体图。图5是显示习知的积层型电感的图,(a)是立体图,(b)是显示内部结构的分解立体图。图6是习知的积层型电感器的要部截面图。图7是显示习知的其他积层型电感器的分解立体图。图8是习知的其他积层型电感器的要部截面图。图9是显示在端部设置有岛部的导体层的图。 |
