| 主权项 |
1.一种天线,系平面倒F型天线,内置于电子装置中,包括:第一辐射部,系用以与第一频率信号谐振,其位于第一平面,其上设有馈点;第二辐射部,系用以与第二频率信号谐振,其位于第二平面,与第一辐射部所处之第一平面弯折成一定角度,且第二辐射部与第一辐射部间设有第一开槽;连接部,系用以连接第一、第二辐射部;接地部,系自连接部延伸至第三平面而与第一辐射部相对,用以固定天线及接地;以及馈线,系包括内部导体及外部导体层,其中内部导体与馈点电性连接,外部导体层与接地部电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之天线,其中连接部系自第一辐射部延伸至第二平面,包括第一连接部及第二连接部,第一连接部系自第一辐射部延伸,第二连接部系自第一连接部延伸,而前述第二辐射部系自第二连接部延伸,并与第一、第二连接部形成第二、第三开槽。3.如申请专利范围第2项所述之天线,其中阻抗匹配部系位于第二连接部上与第二辐射部连接处,馈线之内部导体与外部导体层间设有内绝缘层,而内部导体、内绝缘层及阻抗匹配部形成电容效果,用以消除天线输入阻抗之虚部値,从而使天线之输入阻抗等于馈线之特性阻抗。4.如申请专利范围第3项所述之天线,其中第一辐射部所处之第一平面与第二辐射部所处之第二平面垂直,并与接地部所处之第三平面平行相对。5.如申请专利范围第3项所述之天线,其中第一辐射部所处之第一平面与第二辐射部所处之第二平面成钝角或锐角,以改变第一辐射部之辐射方向。6.如申请专利范围第4或5项所述之天线,其中改变第一辐射部与接地部间之距离,可改变第一频率信号之频段宽度,且前述距离越大,第一频率信号之频段宽度越大。7.如申请专利范围第6项所述之天线,其中改变第二辐射部之高度,可改变第二频率信号之频段宽度,且前述高度越大,第二频率信号之频段宽度越大。8.如申请专利范围第7项所述之天线,其中馈点可设置于第一辐射部之侧边或中部,使馈线可通过侧边馈入方式或中心馈入方式向天线馈入信号。9.一种天线,内置于电子装置中,包括:第一辐射部,系用以与第一频率信号谐振,其位于第一平面;第二辐射部,系用以与第二频率信号谐振,其位于第二平面,与第一辐射部所处之第一平面弯折成一定角度,且第二辐射部与第一辐射部间设有第一开槽;连接部,系用以连接第一、第二辐射部;接地部,系自连接部延伸至第三平面而与第一辐射部相对,用以固定天线及接地。10.如申请专利范围第9项所述之天线,其中连接部系自第一辐射部延伸至第二平面,包括第一连接部及第二连接部,第一连接部系自第一辐射部延伸,第二连接部系自第一连接部延伸,而前述第二辐射部系自第二连接部延伸,并与第一、第二连接部形成第二、第三开槽。11.如申请专利范围第10项所述之天线,还包括馈线,所述馈线包括内部导体及外部导体层,其中内部导体与第一辐射部电性连接,外部导体层与接地部电性连接。12.如申请专利范围第11项所述之天线,其中阻抗匹配部系位于第二连接部上与第二辐射部连接处,馈线之内部导体与外部导体层间设有内绝缘层,而内部导体、内绝缘层及阻抗匹配部形成电容效果,用以消除天线输入阻抗之虚部値,从而使天线之输入阻抗等于馈线之特性阻抗。13.如申请专利范围第12项所述之天线,其中第一辐射部所处之第一平面与第二辐射部所处之第二平面垂直,并与接地部所处之第三平面平行相对。14.如申请专利范围第13项所述之天线,其中第一辐射部所处之第一平面与第二辐射部所处之第二平面成钝角或锐角,以改变第一辐射部之辐射方向。15.如申请专利范围第14项所述之天线,其中改变第一辐射部与接地部间之距离,可改变第一频率信号之频段宽度,且前述距离越大,第一频率信号之频段宽度越大。16.如申请专利范围第15项所述之天线,其中改变第二辐射部之高度,可改变第二频率信号之频段宽度,且前述高度越大,第二频率信号之频段宽度越大。17.一种天线,内置于电子装置中,包括:第一辐射部,系工作于第一频率并且位于第一平面;第二辐射部,系工作于第二频率并且位于第二平面,第二辐射部与第一辐射之间设置有开槽;以及接地部,系与第一、第二辐射部连接。18.如申请专利范围第17项所述之天线,还包括连接接地部与第一、第二辐射部之连接部,所述连接部系自第一辐射部延伸至第二平面,包括第一连接部及第二连接部,第一连接部系自第一辐射部延伸,第二连接部系自第一连接部延伸,而前述第二辐射部系自第二连接部延伸,并与第一、第二连接部形成第二、第三开槽。19.如申请专利范围第18项所述之天线,其中接地部系自第二连接部连接部延伸至第三平面而与第一辐射部相对。20.如申请专利范围第19项所述之天线,其中改变第一辐射部所处之第一平面与第二辐射部所处之第二平面所形成之角度,可以改变第一辐射部之辐射方向。图式简单说明:第一图系习知天线之俯视图。第二图系本创作一实施例之俯视图。第三图系第二图所示实施例之正视图。第四图系第二图所示实施例之侧视图。第五图系第二图所示实施例之工作频率为2.45GHz时之水平极化辐射场图。第六图系第二图所示实施例之工作频率为2.45GHz时之垂直极化辐射场图。第七图系第二图所示实施例之工作频率为5.25GHz时之水平极化辐射场图。第八图系第二图所示实施例之工作频率为5.25GHz时之垂直极化辐射场图。第九图系本创作又一实施例之正视图。第十图系第九图所示实施例之侧视图。 |
