| 主权项 |
1.一种单体电子元件结构之制造方法,包含下列步骤:提供一经前处理之基板,具有一个以上之下电极;制作一电子材料之混合物;以刮刀成型法刮制该混合物成一个以上之电子材料薄片以达到高精度;提供一幕罩,具有一个以上经定位之空孔,以置入该一个以上之电子材料薄片;叠压该幕罩以将该一个以上之电子材料薄片黏贴于该基板上,并与该一个以上之下电极形成导接;去除该幕罩;及于该一个以上之电子材料薄片上形成一个以上之上电极必形成一单体电子元件结构。2.如申请专利范围第1项所述之单体电子元件结构之制造方法,其中该幕罩之材料系选自聚酯薄膜(mylar)、矽胶片与金属板之组合。3.如申请专利范围第1项所述之单体电子元件结构之制造方法,其中该一个以上之空孔之形成方法,系选自冲孔与切割之方式之组合。4.如申请专利范围第1项所述之单体电子元件结构之制造方法,其中该幕罩以将该一个以上之电子材料薄片黏贴于该基板上之方法,系运用一热压法。5.如申请专利范围第1项所述之单体电子元件结构之制造方法,其中该电子材料系为一电阻材料。6.如申请专利范围第1或5项所述之单体电子元件结构之制造方法,其中该电阻之材料系由二氧化钌(RuO2)粉末约百分之12(wt%),铅矽玻璃约百分之48(wt%)与有机溶液(Vehicle)百分之40(wt%)所组成。7.如申请专利范围第6项所述之单体电子元件结构之制造方法,其中该百分之40(wt%)之有机溶液系由黏结剂(聚乙烯醇丁醛胶膜PVB)及乙基纤维素(Ethyl Cellulose)共百分之6(wt%)和溶剂香油脑(terpineol)及双乙烯乙二醇单丁基橡胶乙醚(Diethylene Glycol Monobuthyl Ether)共百分之34(wt%)所组成。8.如申请专利范围第1项所述之单体电子元件结构之制造方法,其中该电子材料系为一电容材料。9.如申请专利范围第1或8项所述之单体电子元件结构之制造方法,其中该电容材料系由钛酸钡(BaTiO3)粉末约百分之35(wt%)、铅矽玻璃约百分之35(wt%)与有机溶液(Vehicle)百分之30(wt%)。10.如申请专利范围第9项所述之单体电子元件结构之制造方法,其中该百分之30(wt%)之有机溶液系由黏结剂(聚乙烯醇丁醛胶膜PVB)及乙基纤维素(EthylCellulose)共百分之6(wt%)和溶剂香油脑(terpineol)及双乙烯乙二醇单丁基橡胶乙醚(Diethylene GlycolMonobuthyl Ether)共百分之24(wt%)所组成。11.如申请专利范围第1项所述之单体电子元件结构之制造方法,其中该基板系为一可共烧之铅矽玻璃系低温共烧陶瓷(LTCC)生胚。12.一种内埋式积层电子元件结构之制造方法,包含下列步骤:提供一经前处理之基板,具有一个以上之下电极;制作一电子材料之混合物;以刮刀成型法刮制该混合物成一个以上之电子材料薄片以达到高精度;提供一幕罩,具有一个以上经定位之空孔,以置入该一个以上之电子材料薄片;叠压该幕罩以将该一个以上之电子材料薄片黏贴于该基板上,并与该一个以上之下电极形成导接;去除该幕罩;于该一个以上之电子材料薄片上形成一个以上之上电极以形成一单体电子元件结构;将重覆数个该单体电子元件结构充孔并填充一导体以使该数个单体电子元件结构间形成电路导接以形成该内埋式积层电子元件。13.如申请专利范围第12项所述之内埋式积层电子元件结构之制造方法,其中该幕罩之材料系选自聚酯薄膜(mylar)、矽胶片与金属板之组合。14.如申请专利范围第12项所述之内埋式积层电子元件结构之制造方法,其中该一个以上之空孔之形成方法,系选自冲孔与切割之方式之组合。15.如申请专利范围第12项所述之内埋式积层电子元件结构之制造方法,其中该幕罩以将该一个以上之电子材料薄片黏贴于该基板上之方法,系运用一热压法。16.如申请专利范围第12项所述之内埋式积层电子元件结构之制造方法,其中该电子材料系为一电阻材料。17.如申请专利范围第12或16项所述之内埋式积层电子元件结构之制造方法,其中该电阻材料系由二氧化钌(RuO2)粉末约百分之12(wt%),铅矽玻璃约百分之48(wt%)与有机溶液(Vehicle)百分之40(wt%)所组成。18.如申请专利范围第17项所述之内埋式积层电子元件结构之制造方法,其中该百分之40(wt%)之有机溶液系由黏结剂(聚乙烯醇丁醛胶膜PVB)及乙基纤维素(Ethyl Cellulose)共百分之6(wt%)和溶剂香油脑(terpineol)及双乙烯乙二醇单丁基橡胶乙醚(Diethylene Glycol Monobuthyl Ether)共百分之34(wt%)所组成。19.如申请专利范围第12项所述之内埋式积层电子元件结构之制造方法,其中该电子材料系为一电容材料。20.如申请专利范围第12或19项所述之内埋式积层电子元件结构之制造方法,其中该电容材料系由钛酸钡(BaTiO3)粉末约百分之35(wt%)、铅矽玻璃约百分之35(wt%)与有机溶液(Vehicle)约百分之30(wt%)。21.如申请专利范围第20项所述之内埋式积层电子元件结构之制造方法,其中该百分之30(wt%)之有机溶液系由黏结剂(聚乙烯醇丁醛胶膜PVB)及乙基纤维素(Ethyl Cellulose)共百分之6(wt%)和溶剂香油脑(terpineol)及双乙烯乙二醇单丁基橡胶乙醚(Diethylene Glycol Monobuthyl Ether)共百分之24(wt%)所组成。22.如申请专利范围第12项所述之内埋式积层电子元件结构之制造方法,其中该基板系为一可共烧之铅矽玻璃系低温共烧陶瓷(LTCC)生胚。图式简单说明:第1图为本发明之单体电子元件结构之制造方法流程图;第2A~2F图为本发明之内埋式积层电子元件之制造流程图剖面图;第3A~3B图为本发明之内埋式电阻器完成之显微摄影图;及第4A~4B图为以习知之网版印刷术所完成之埋入式电阻器之显微摄影图。 |
