| 主权项 |
1.一种半导体积体电路导电凸块热回流制程之改良方法,其特征为将包含该导电凸块之基板载入于于热回流炉中,且在进行回流热处理之前,通入还原气体于该热回流炉以移除该导电凸块上之氧化层,再升温以进行导电凸块之回流热处理。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之还原气体为氢气。3.如申请专利范围第2项之方法,其中在该热回流炉中进行热回流制程系分为四个阶段:第一阶段系为预热过程,第二阶段系通入氢气于热回流炉,该氢气与该导电凸块之氧化层产生化学反应以移除该氧化层,第三阶段系通入氮气于该热回流炉而将该氢气赶出,并再升温施以回流热处理,使该导电凸块形成球状结构,第四阶段系为冷却过程。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该第一阶段之之预热过程系将温度升高至约100~125℃。5.如申请专利范围第3项之方法,其中该第二阶段通入该氢气之流速约为10~20sccm。6.如申请专利范围第3项之方法,其中该第三阶段系将温度升高至约183~220℃以进行导电凸块之回流热处理。7.一种导电凸块热回流制程之改良方法,该方法包含下列步骤:提供一基板,该基板已完成积体电路制程,且至少包含一金属焊垫裸露于护层之中;形成一凸块下金属于该金属焊垫上;通入还原气体于该热回流炉以移除该导电凸块上之氧化层;以及施以回流热处理,使该导电凸块形成球状结构。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之还原气体至少包含氢气。9.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之施以回流热处理步骤包含通入氮气于该热回流炉以逐出氢气。10.一种导电凸块热回流制程之改良方法,该方法包含下列步骤:提供一基板,该基板已完成积体电路制程,且该基板上具有一露出至少一金属焊垫的护层,焊垫及护层上已形成凸块下金属;施以乾膜图案披覆于该凸块下金属上;施以曝光显影技术以定义导电凸块的位置;施以电镀处理,以形成该导电凸块层,并以该乾膜图案为电镀防止层;剥除该基板上的乾膜图案;以该导电凸块为硬式罩幕,对该凸块下金属施以蚀刻;其特征为:将该基板置于电浆反应室之加热板上;通入碳氟气体于该电浆反应室以移除该导电凸块上之氧化层;以及加热该加热板,使该导电凸块形成球状结构。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该碳氟气体系经由电浆反应室加电压解离形成氟离子,该氟离子与该导电凸块之氧化层产生化学反应以移除该氧化层。12.如申请专利范围第10项之方法,其中对该加热板系将温度升高至约183~250℃以进行导电凸块之回流热处理。图式简单说明:第一图为习知技术之导电凸块热回流制程之流程示意图;第二图为以乾膜图案为电镀防止层并电镀形成导电凸块之示意图;第三图为除去乾膜图案并蚀刻凸块下金属层之示意图;第四图为本发明第一实施例在热回流炉中进行导电凸块热回流制程之示意图;第五图为本发明第二实施例在电浆反应室进行导电凸块热回流制程之示意图;以及第六图为本发明之导电凸块热回流制程之流程示意图。 |
