Halbleiterspeichervorrichtung

摘要

Ein CMOS-SRAM weist eine Mehrzahl von Speicherzellen eines vollständig aus CMOS bestehenden Typs und eine kapazitive Platte auf. Die Speicherzellen sind zweidimensional in der Reihenrichtung und der Spaltenrichtung angeordnet. Die kapazitive Platte fügt eine zusätzliche Kapazität zu Knoten zum Speichern von Daten hinzu, um weiche Fehler zu verringern. Die Mehrzahl von Speicherzellen teilt sich die kapazitive Platte. Die kapazitiven Platten sind durch jede Spalte, d. h. in der Reihenrichtung, getrennt. Die kapazitive Platte ist mit einer Energieversorgungsspannungsleitung verbunden, um das Spannungsversorgungssystem zu vereinfachen. Wenn eine Bereitschaftsstörung in der Speicherzelle einer bestimmten Spalte auftritt, wird die Speicherzelle durch eine redundante Speicherzelle ersetzt.