| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung zum optischen Testen bestimmter interner physikalischer Parameter von Halbleiterbauelementen (12) bestimmter Dicke (L) mit zumindest einer Lichtquelle (1) zur Aussendung eines monochromatischen Lichtstrahls (2) mit einer Wellenlänge (X), für welche das Material des Halbleiterbauelements (12) zumindest teilweise transparent ist, und mit einem Strahlteiler (8) zum Auftrennen des Lichtstrahls (2) in einen Referenzstrahl (15) und einen Probenstrahl (16) und mit zumindest einem Detektionssystem (41) zum Aufnehmen der durch Interferenz des vom Halbleiterbauelement reflektierten Lichtstrahls (20) mit dem reflektierten Referenzstrahl (25) erzeugten zweidimensionalen Bilder, wobei die Rückseite (18) des zu testenden Halbleiterbauelements (12) dem Probenstrahl (16) zugewandt ist, dass eine Belastungseinrichtung (74) zum Aussenden einer externen Belastung für das Halbleiterbauelement (12) vorgesehen ist, und dass weiters ein Speicher (81) zum Speichern zumindest zweier in zeitlichen Abständen aufgenommenen Interferenzbildern und eine Einrichtung (133) zum automatischen Vergleichen der Interferenzbilder vorgesehen ist.</p> |
