| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines bipolaren Halbleiterbauteils |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19634178(C2) |
申请公布日期 |
2003.07.31 |
| 申请号 |
DE1996134178 |
申请日期 |
1996.08.23 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
YOON, KWANG-JOON |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/328;H01L21/331;H01L29/417;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/331 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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