发明名称 Verfahren zum Herstellen eines Kondensators
摘要 Ein Verfahren zum Herstellen eines Kondensators umfaßt ein Bereitstellen einer Rohrstruktur mit einem Substrat (210) und wenigstens einer dielektrischen Schicht (224, 226), wobei ein erster Bereich und ein zweiter Bereich des Substrats (210) durch eine isolierende Schicht (212, 214, 216) getrennt sind. Oberhalb des ersten und zweiten Bereichs wird auf die wenigstens eine dielektrische Schicht (224, 226) eine elektrisch leitfähige Schicht (228) aufgebracht. Ferner wird eine Maskenschicht (230) auf die elektrisch leitfähige Schicht aufgebracht, wobei dieselbe zur Erzeugung einer ersten Maske (230) oberhalb des ersten Bereichs strukturiert wird. Das Verfahren umfaßt ferner ein Wegätzen der elektrisch leitfähigen Schicht (230) und zumindest einer der dielektrischen Schichten (226) im zweiten Bereich mittels der ersten Maske und ein Fertigprozessieren eines aktiven Elements im zweiten Bereich.
申请公布号 DE10200838(A1) 申请公布日期 2003.07.31
申请号 DE20021000838 申请日期 2002.01.11
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 STAHRENBERG, KNUT;DAHL, CLAUS;WILBERTZ, CHRISTOPH
分类号 H01L21/02;H01L21/285;H01L27/08;H01L29/94;(IPC1-7):H01L21/822 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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