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Die Erfindung betrifft eine nichtflüchtige Halbleiter-Speicherzelle sowie ein zugehöriges Herstellungsverfahren, wobei in einem Substrat (1) ein Sourcegebiet (7), ein Draingebiet (8) und ein dazwischenliegendes Kanalgebiet ausgebildet wird. Zur Realisierung von lokal begrenzten Speicherorten (LB, RB) wird eine auf einer ersten Isolationsschicht (2) befindliche elektrisch nicht leitende Ladungsspeicherschicht (3) durch eine Unterbrechung (U) aufgeteilt, wodurch insbesondere ein lateraler Ladungstransport zwischen den Speicherorten (LB, RB) verhindert wird und sich die Ladehalteeigenschaften wesentlich verbessern.
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