| 摘要 |
Ein Bipolartransistor mit einem aktiven Emitterbereich (10), einem Kollektorbereich (11) und einem Basisbereich, der einen aktiven Basisbereich (2) und einen Basis-Anschlussbereich (7) umfasst, wird zur Verfügung gestellt. Um eine gute Stromverstärkung des Transistors zu gewährleisten ist der aktive Basisbereich (2) niedrig dotiert, wogegen der Basis-Anschlussbereich (7) hoch dotiert ist. Um den Zuleitungswiderstand möglichst gering zu halten, erstreckt sich der niederohmige Basis-Anschlussbereich (7) bis unter einen Emitter-Anschlussbereich (6). Dabei kann ein gewünschter Abstand zwischen dem aktiven Emit-terbereich (10) und dem niederohmigen Basis-Anschlussbereich (7) mittels eines Randstegs (5) eingestellt werden.
|
