| 发明名称 | 一种磁敏电阻金属薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种磁敏电阻金属薄膜。其特征在于：由基片(1)及在基片上生成的磁性金属合金薄膜(2)组成，其磁性金属合金薄膜(2)的厚度为10纳米至1000纳米，含有5－30at％原子百分比氧，具有垂直于基片表面的柱状结晶晶粒，结晶晶粒在平行于基片表面方向上的宽度为10－1000纳米。基片(1)可以是塑料、聚四合物高分子材料，也可以是玻璃、二氧化硅等非晶态材料，也可以是微晶玻璃，也可以是氧化镁、氧化铝、氧化锌、钛酸钡、钛酸铅、锆酸铅、钛酸锆酸铅、钛酸锆酸镧酸铅金属氧化物材料，还可以是硅、砷化镓等半导体材料；磁性金属合金薄膜(2)可以是镍铁合金、镍钴合金、铁钴合金或铁钴镍构成的三元合金。本发明的优点是磁敏电阻金属薄膜材料具有高于4％的各向异性磁电阻变化率，并且具有高的磁场灵敏度。 | ||
| 申请公布号 | CN1433093A | 申请公布日期 | 2003.07.30 |
| 申请号 | CN02100349.1 | 申请日期 | 2002.01.11 |
| 申请人 | 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司;北京科技大学 | 发明人 | 王凤平;潘礼庆;吴平;田跃;邱宏 |
| 分类号 | H01L43/08;H01L43/02 | 主分类号 | H01L43/08 |
| 代理机构 | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人 | 刘月娥 |
| 主权项 | 1、一种磁敏电阻金属薄膜，其特征在于：由基片(1)及在基片上生成的磁性金属合金薄膜(2)组成，其磁性金属合金薄膜(2)的厚度为10纳米至1000纳米，含有5——30at％原子百分比的氧，具有垂直于基片表面的柱状结晶晶粒，结晶晶粒在平行于基片表面方向上的宽度为10——1000纳米。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区学院路30号 | ||