发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
提供了一种具有精确的分压比和小的电阻值温度系数的高精度增殖电阻电路,并利用此增殖电阻电路来提供具有高精度和小温度系数的半导体器件。例如,提供了诸如电压探测器和调压器之类的半导体器件。使薄膜电阻器上的导体以及薄膜电阻器下方的导体的电位几乎等于采用薄膜电阻器的增殖电阻电路中各个薄膜电阻器的电位。此外,若多晶硅被用于薄膜电阻器中,则借助于使多晶硅薄膜电阻器的薄膜厚度薄,以及借助于使引入到多晶硅薄膜电阻器的杂质为p型,抑制了电阻值的分散,且消除了电阻值的温度依赖性。 |
申请公布号 |
CN1433075A |
申请公布日期 |
2003.07.30 |
申请号 |
CN03101095.4 |
申请日期 |
2003.01.10 |
申请人 |
精工电子有限公司 |
发明人 |
椎木美香 |
分类号 |
H01L27/00;G01C7/00;H01L21/822 |
主分类号 |
H01L27/00 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
吴立明;梁永 |
主权项 |
1.一种包含增殖电阻电路的半导体器件,它包括:第一导体;第一导体上的第一绝缘膜;以及第一导体上通过第一绝缘膜的多个薄膜电阻器,其中,薄膜电阻器下方部分中的第一导体与薄膜电阻器的电位基本上彼此相等。 |
地址 |
日本千叶县千叶市 |