| 发明名称 | 非门电路结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种非门电路结构，其包含：一输入端，其接收一输入信号，该输入信号具有高低两个电平，其中低电平大于0伏特；一P沟道金属－氧化物晶体管，其栅极耦接至该输入端，而其源极耦接至一电压源；一第一N沟道金属－氧化物晶体管，其漏极耦接至该P沟道金属－氧化物晶体管的漏极以形成一输出端，而其源极耦接至接地点；以及一压降组件，耦接于该第一N沟道金属－氧化物晶体管的栅极与该输入端之间，其提供该输入端至该第一N沟道金属－氧化物晶体管的栅极间的一电压下降幅度，进而消除该第一N沟道金属－氧化物晶体管于该输入信号在低电平时所产生的漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN2563842Y | 申请公布日期 | 2003.07.30 |
| 申请号 | CN02236578.8 | 申请日期 | 2002.06.10 |
| 申请人 | 威盛电子股份有限公司 | 发明人 | 黄超圣 |
| 分类号 | H03K19/20;H01L27/04 | 主分类号 | H03K19/20 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高龙鑫;楼仙英 |
| 主权项 | 1、一种非门电路结构，其特征在于，包含：一输入端，其接收一输入信号，该输入信号具有高低两个电平，其中低电平大于0伏特；一P沟道金属_氧化物晶体管，其栅极耦接至该输入端，而其源极则耦接至一电压源；一第一N沟道金属_氧化物晶体管，其漏极耦接至该P沟道金属_氧化物晶体管的漏极以形成一输出端，而其源极耦接至接地点；以及一压降组件，耦接于该第一N沟道金属_氧化物晶体管的栅极与该输入端之间，其提供该输入端至该第一N沟道金属_氧化物晶体管的栅极间的一电压下降幅度，进而消除该第一N沟道金属_氧化物晶体管于该输入信号在低电平时所产生的漏电流。 | ||
| 地址 | 台湾省台北县 | ||