发明名称 | 一种消除化学机械研磨碟化效应的内连线制造方法 | ||
摘要 | 一种消除化学机械研磨碟化效应的内连线制造方法,于具有金属线的半导体基底的介电层上形成研磨停止层,接下来,以镶嵌制程形成具镶嵌结构的金属层,并以研磨停止层作为第一研磨终点,执行第一化学机械研磨制程,磨除位于研磨停止层上方的阻障层及金属层,而后以金属层表面作为第二研磨终点,执行第二化学机械研磨制程,磨除研磨停止层,借以避免因为化学机械研磨制程所导致的碟化效应。 | ||
申请公布号 | CN1433061A | 申请公布日期 | 2003.07.30 |
申请号 | CN02101728.X | 申请日期 | 2002.01.14 |
申请人 | 矽统科技股份有限公司 | 发明人 | 徐震球;李世达 |
分类号 | H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/768 |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李强 |
主权项 | 1、一种消除化学机械研磨碟化效应的内连线制造方法,其特征在于:包括下列步骤:提供一半导体基底,并于上述半导体基底形成一金属线;形成一介电层于上述基底,并覆盖上述金属线;形成一研磨停止层于上述介电层;以镶嵌制程界定上述介电层,形成贯穿上述研磨停止层及介电层并连接上述金属线的镶嵌结构;形成一阻障层于上述研磨停止层上及上述镶嵌结构的内壁;形成一金属层于上述阻障层,并填满上述镶嵌结构;以上述研磨停止层作为第一研磨终点,执行第一化学机械研磨制程,磨除位于上述研磨停止层上方的上述阻障层及金属层;以上述金属层表面作为第二研磨终点,执行第二化学机械研磨制程,磨除上述研磨停止层;及形成一第一密封层以覆盖上述金属层及介电层。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学园区 |