发明名称 | 用于改善静电击穿电压的半导体器件的输入保护电路 | ||
摘要 | 在输入保护电路中,双极型保护器件包括:第1导电类型的半导体衬底;第2导电类型的第1扩散层,它形成在衬底中并与第1信号接点相连;第2导电类型的第2扩散层,它形成在衬底中,并与第1扩散层相间隔地平行地延伸;第1导电类型的具有高杂质浓度的第3扩散层,它形成在衬底中,与第1和第2扩散层平行地延伸,并与第2扩散层以结连接,但与第1扩散层隔开。当施加反向偏置电压时,形成的耗尽层厚度变大,从而使热载流子的产生减到最小。 | ||
申请公布号 | CN1116703C | 申请公布日期 | 2003.07.30 |
申请号 | CN96110768.5 | 申请日期 | 1996.06.22 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 三木淳范 |
分类号 | H01L23/58;H01L27/04 | 主分类号 | H01L23/58 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 傅康;邹光新 |
主权项 | 1.一种用于半导体器件的输入保护电路,它包括:选择性地涂覆在位于第1导电类型半导体衬底上面的层间绝缘膜上的输入信号接点;双极型保护器件,它包括:第1扩散层,它具有与所说第1导电类型相反的第2导电类型,所说的第1扩散层与所说的第1输入信号接点连接,并选择性地形成在所述导体衬底的部分表面;具有所述的第2导电类型的第2扩散层,它形成在所述半导体衬底的所述部分表面,并与所述第1扩散层平行地延伸,但是与所述第1扩散层相隔第1间隔;所述第1导电类型的第3扩散层,它形成在所述半导体衬底中的第1间距中,并与第1和第2扩散层平行地延伸,与第2扩散层以结连接,但与第1扩散层隔开,所述第3扩散层具有高于所述半导体衬底表面部分的杂质浓度;以及 与所述第2扩散层相连的电源线;及输入保护电阻,其第1端与所述输入信号接点相连,第2端和输入信号端布线导体相连。 | ||
地址 | 日本东京都 |