发明名称 | 保护膜图案形成方法以及半导体器件制造方法 | ||
摘要 | 抑制含碱性物质的底膜与其表面形成的化学放大型保护膜之间的界面上所产生的酸失活现象,形成高精度的保护膜图案,使含碱性物质的底膜也可达到同样的精度。首先采用表面改质处理工序,它是将含碱性物质的底膜表面暴露于由含碳气体的气体所组成的等离子体中。其次是采用在底膜上涂敷化学放大型保护膜的工序。最后是在化学放大型保护膜上进行曝光,并进行显影处理、形成图案的工序。 | ||
申请公布号 | CN1433051A | 申请公布日期 | 2003.07.30 |
申请号 | CN02143228.7 | 申请日期 | 2002.09.17 |
申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 川井健治 |
分类号 | H01L21/027 | 主分类号 | H01L21/027 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
主权项 | 1.一种保护膜图案形成方法,它包括下列各项工序:表面处理工序,把含碱性物质的底膜表面暴露于使用含碳气体的等离子体中来进行表面处理;化学放大型保护膜的形成工序,这种保护膜是在经过表面处理的所述底膜上形成的;使所述化学放大型保护膜形成一定图案的工序,该工序是在所述化学放大型保护膜上进行曝光和显影处理,使其形成一定图案的。 | ||
地址 | 日本东京都 |