发明名称 |
用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜及使用该多晶硅薄膜的显示器件 |
摘要 |
用于TFT(薄膜晶体管)的多晶硅薄膜以及使用TFT的显示装置,其中晶界的数目对载流子的运动施加重大影响,提供工作通道之间的距离“S”满足S=mGs·secθ-L的关系的双通道或多通道TFT,并且提供通过同步化双通道或多通道的每个通道中所包含的晶界数目而提高TFT特征均匀性的显示器件S=mGs·secθ-L在上式中,Gs为多晶硅薄膜的晶粒尺寸,m为1或更大的整数,θ为倾斜角,即主晶界(“初级”晶界)沿垂直于工作通道的方向倾斜的角度,L为每个具有双通道或多通道的TFT的工作通道的长度。 |
申请公布号 |
CN1433084A |
申请公布日期 |
2003.07.30 |
申请号 |
CN03101694.4 |
申请日期 |
2003.01.14 |
申请人 |
三星SDI株式会社 |
发明人 |
李基龙 |
分类号 |
H01L29/786;H01L21/205;G02F1/136;G09F9/30 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
巫肖南;封新琴 |
主权项 |
1.一种用于TFT的多晶硅薄膜,所述TFT工作通道之间的距离为“S”,其包括:满足下式关系的双通道或多通道: S=mGs·secθ-L,式中Gs为多晶硅薄膜的晶粒尺寸,m为1或更大的整数,θ为主晶界沿垂直于工作通道的方向倾斜的角度,L为每个具有双通道或多通道的TFT的工作通道的长度。 |
地址 |
韩国京畿道 |