| 发明名称 | 裂开材料晶片各层的工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种沿晶片两层间的脆化面将晶片两层裂开的工艺，这一工艺包括一个热退火过程，目的是裂开包含所述层的晶片，其特征是：所述晶片在退火过程中按基本水平的方向排列。本发明还涉及这种工艺的应用和相关装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1433056A | 申请公布日期 | 2003.07.30 |
| 申请号 | CN03100518.7 | 申请日期 | 2003.01.16 |
| 申请人 | 绝缘体硅片技术公司 | 发明人 | W·施瓦岑巴赫;C·马勒维尔 |
| 分类号 | H01L21/324;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/324 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种用于沿晶片两层间的脆化面将晶片两层裂开的工艺，这一工艺包括一个热退火过程，目的是裂开包括所述层的晶片，其特征是：所述晶片在退火过程中按基本上水平的方向排列。 | ||
| 地址 | 法国贝宁 | ||