| 发明名称 | 半导体器件的元件隔离膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的元件隔离膜的形成方法。本发明特征在于包括：依次在硅衬底上形成衬垫氧化膜和衬垫氮化膜的步骤；在衬垫氮化膜上形成定义元件隔离区的感光膜图形的步骤；以感光膜图形作为掩膜，腐蚀所述衬垫氮化膜、衬垫氧化膜和衬底的规定部位以形成浅沟槽的步骤；以感光膜图形作为掩膜，在浅沟槽底面进行场注入工序以形成场停止注入膜的步骤；除去感光膜的步骤；洗净所述结构的浅沟槽内部的步骤；使浅沟槽的内部热生长以形成第1氧化膜的步骤；以及在所得结构上蒸镀第2氧化膜后，在第2氧化膜上进行化学机械研磨(CMP)工序以形成元件隔离膜的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1433060A | 申请公布日期 | 2003.07.30 |
| 申请号 | CN02128190.4 | 申请日期 | 2002.12.20 |
| 申请人 | 东部电子株式会社 | 发明人 | 朴哲秀 |
| 分类号 | H01L21/762 | 主分类号 | H01L21/762 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 杨梧;马高平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的元件隔离膜的形成方法，其特征在于，包括：依次在硅衬底上形成衬垫氧化膜和衬垫氮化膜的步骤；在所述衬垫氮化膜上形成定义元件隔离区的感光膜图形的步骤；以所述感光膜图形作为掩膜，腐蚀所述衬垫氮化膜、衬垫氧化膜和衬底的规定部位以形成浅沟槽的步骤；以所述感光膜图形作为掩膜，在所述浅沟槽的底面实施场注入工序以形成场停止注入膜的步骤；除去所述感光膜的步骤；洗净所述结构的浅沟槽内部的步骤；使所述浅沟槽的内部热生长以形成第1氧化膜的步骤；以及在所得结构上蒸镀第2氧化膜后，在所述第2氧化膜上进行化学机械研磨(CMP)工序以形成元件隔离膜的步骤。 | ||
| 地址 | 韩国汉城市 | ||