| 发明名称 | 一种铜膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种铜膜的制备方法，其特征在于：以晶粒尺寸小于100nm的纳米金属Cu为原材料，纯度高于99.995wt％，密度为8.91±0.03g/cm<SUP>3</SUP>，在室温冷轧，变形速率：1×10<SUP>-5</SUP>～1×10<SUP>1</SUP>/s。本发明制备出的铜膜表面质量好，可以达到很薄的厚度，并且工艺简单，使用普通的轧制设备即可实现。 | ||
| 申请公布号 | CN1116130C | 申请公布日期 | 2003.07.30 |
| 申请号 | CN00110288.5 | 申请日期 | 2000.04.05 |
| 申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 卢磊;斯晓;陶乃镕;隋曼龄;卢柯 |
| 分类号 | B21B1/40;C22F1/08 | 主分类号 | B21B1/40 |
| 代理机构 | 沈阳科苑专利代理有限责任公司 | 代理人 | 张晨 |
| 主权项 | 1、一种铜膜的制备方法，其特征在于：以晶粒尺寸小于100nm的纳米金属Cu为原材料，纯度高于99.995wt％，密度为8.91±0.03g/cm3，在室温冷轧，变形速率：1×10-5～1×101/s。 | ||
| 地址 | 110015辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 | ||