| 摘要 |
Eljárás szilícium nanostruktúrák, például szilícium kvantum huzal rács(7) szabályozható előállítására. Ultra nagy vákuumban, egyenletesnitrogén molekula-ion sugárral szilícium felületet porlasztunkperiodikus hullámszerű felszíni minta kialakítása érdekében, amelybenaz említett minta hullámvölgyei a SOI anyag szigetelő- (4)szilíciumrétegének (6) határfelületével egy szintben helyezkednek el.Az ionenergia, az ionok beesési szöge az említett anyag felszínéhezképest, a szilíciumréteg (6) hőmérséklete, az említett hullámszerűfelszíni minta kialakulási mélysége, magassága valamint az ionokszilíciumba való behatolási mélysége a hullámszerű felszíni mintakiválasztott, 9 nm és 120 nm közötti tartományba eső hullámhosszafüggvényében kerülnek meghatározásra. Egy függesztett élekkelrendelkező ablakkal ellátott szilícium nitrid maszk jelöli ki aszilícium felületén azt területet, ahol a rács (7) kialakításra kerül.A porlasztás előtt a maszkoló ablak területe alatti szilíciumfelületről eltávolítjuk a szennyeződéseket. A szilícium kvantum huzalrács (7) előállításához a SOI anyag szilíciumrétegének (6) vastagságátoly módon választjuk meg, hogy az nagyobb legyen az említetthullámszerű felszíni minta említett kialakulási mélységének, említettmagasságának, valamint az említett ion behatolási mélységnek azösszegénél. A szilícium huzalok előállításának szabályozása a SOIanyag szigetelőrétegéből (4) kibocsátott szekunder ion emissziós jelhatárértéke segítségével történik. A nanostruktúra optoelektronikai ésnanoelektronikai eszközökben, például FET-ben alkalmazható. Ó |
