| 发明名称 | 氮化钨层制造方法及使用同样原理的金属连线制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一个新的制造选择性氮化钨层的方法和一个利用相同方法制造金属连线的方法。在这些方法中，通过调整所注入的含氮气体和钨源气体的流量比，一个氮化钨层被有选择地仅在一个接触孔中被淀积。因此，防止了硅衬底上的侵蚀并且制成了在高温下稳定的氮化钨层。另外，金属连线的接触电阻可以被降低。 | ||
| 申请公布号 | CN1115723C | 申请公布日期 | 2003.07.23 |
| 申请号 | CN96114485.8 | 申请日期 | 1996.11.15 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴炳律;河定旼;高大弘;李相忍 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 陆立英 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件氮化钨层的方法，包括以下步骤： <a>在上面制作导电层的半导体衬底上制作绝缘层； <b>通过蚀刻所述绝缘层制作接触孔从而露出所述导电层；并且 <c>在接触孔中制作硅化钛电阻层；并且 <d>通过含氮气体、钨源气体和还原剂气体的选择性反应，控制含氮气体和钨源气体的流速使得含氮气体的流速是钨源气体流速的2至7倍，在接触孔中的电阻层和接触孔的侧壁上选择性地淀积氮化钨层，从而控制氮化钨层的形成位置并防止在接触孔之外的绝缘层上形成氮化钨层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||