发明名称 | 用来在真空度波动期间控制离子注入的方法和装置 | ||
摘要 | 一种用来在真空度波动期间沿着射束线控制注入的方法和装置。真空度波动可以根据检测到的射束电流进行检测和/或可以在不测量注入室中的压力的情况下得到补偿。用于离子束电流的参考水平能够被确定下来,而且在参考数值和实测的离子束电流之间的差异可以被用来控制离子注入过程的参数,例如,晶片扫描频率。差异的数值也可以按比例缩放,以便计算出造成检测到的束电流减少的两种类型的电荷交换碰撞。第一种类型的碰撞,非视线碰撞,将引起检测到的束电流的减少和交付给半导体晶片的总剂量的减少。第二种类型的碰撞,视线碰撞,将引起检测到的射束电流的减少,但是不影响交付给晶片的总剂量。因此,差异的按比例缩放能够用来调整计算出非视线碰撞的晶片扫描频率。 | ||
申请公布号 | CN1432187A | 申请公布日期 | 2003.07.23 |
申请号 | CN01810260.3 | 申请日期 | 2001.04.23 |
申请人 | 瓦里安半导体设备联合公司 | 发明人 | 史蒂文·R·沃尔特 |
分类号 | H01J37/18;H01J37/317 | 主分类号 | H01J37/18 |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 过晓东 |
主权项 | 1.一种用来控制离子注入过程的方法,该方法包括:产生离子束;确定离子束电流的参考水平;以及在半导体晶片的注入期间测量离子束电流;以及在注入期间根据参考水平和实测的离子束电流而不根据检测到的压力调整离子注入参数以补偿真空的波动。 | ||
地址 | 美国马萨诸塞州 |