半导体装置

摘要

本发明提供了可在形成接触孔时减少掩模工序次数的半导体装置及半导体装置的制造方法。所述半导体装置中有：基片1；栅极结构9；阻挡膜11；层间绝缘膜12；从层间绝缘膜12的上表面13到达基片1的接触孔17；填入接触孔17的金属材料18；第一金属布线层19；层间绝缘膜20；从层间绝缘膜20的上表面21到达第一金属布线层19的接触孔23；以及从层间绝缘膜20的上表面21到达栅极结构9的栅电极7的接触孔24。接触孔24跟接触孔23在同一工序中形成。

主权项

1.一种半导体装置，包括：半导体基片；在所述半导体基片上有选择地形成的、具有从所述半导体基片侧开始依次淀积栅电极与绝缘膜的积层结构的栅极结构；在所述半导体基片的主表面上形成的激活区；将所述栅极结构的表面全部覆盖、在所述激活区上形成的阻挡膜；在所述阻挡膜上形成的第一层间绝缘膜；从所述第一层间绝缘膜的上表面到所述激活区的第一接触孔；填入所述第一接触孔内的金属材料；在所述第一层间绝缘膜上形成的、跟所述金属材料连接的金属布线层；将所述金属布线层遮盖、在所述第一层间绝缘膜上形成的第二层间绝缘膜；从所述第二层间绝缘膜的上表面，经由所述第一层间绝缘膜、所述阻挡膜及所述绝缘膜，到达所述栅极结构的所述栅电极的第二接触孔；以及从所述第二层间绝缘膜的上表面到达所述金属布线层的、比所述第二接触孔浅的第三接触孔；所述金属布线层被蚀刻速度低于所述第二、第三接触孔形成时膜的被蚀刻速度。