发明名称 |
形成含铝物理气相沉积靶的方法;溅射薄膜;和靶的构成 |
摘要 |
本发明包括一种形成含铝物理气相沉积靶的方法。通过等通道角度挤压使含铝块变形。该块是至少99.99%的铝并且进一步含有小于或等于约1000ppm的一种或多种掺杂材料,该掺杂材料包括的元素选自Ac、Ag、As、B、Ba、Be、Bi、C、Ca、Cd、Ce、Co、Cr、Cu、Dy、Er、Eu、Fe、Ga、Gd、Ge、Hf、Ho、In、Ir、La、Lu、Mg、Mn、Mo、N、Nb、Nd、Ni、O、Os、P、Pb、Pd、Pm、Po、Pr、Pt、Pu、Ra、Rf、Rh、Ru、S、Sb、Sc、Se、Si、Sm、Sn、Sr、Ta、Tb、Te、Ti、Tl、Tm、V、W、Y、Yb、Zn和Zr。含铝块变形后,使该块成型为溅射靶的至少一部分。本发明也包括物理气相沉积靶,它基本上由铝并且和小于或等于约1000ppm的一种或多种掺杂材料组成,该掺杂材料包括的元素选自Ac、Ag、As、B、Ba、Be、Bi、C、Ca、Cd、Ce、Co、Cr、Cu、Dy、Er、Eu、Fe、Ga、Gd、Ge、Hf、Ho、In、Ir、La、Lu、Mg、Mn、Mo、N、Nb、Nd、Ni、O、Os、P、Pb、Pd、Pm、Po、Pr、Pt、Pu、Ra、Rf、Rh、Ru、S、Sb、Sc、Se、Si、Sm、Sn、Sr、Ta、Tb、Te、Ti、Tl、Tm、V、W、Y、Yb、Zn和Zr。另外,本发明包括薄膜。 |
申请公布号 |
CN1432070A |
申请公布日期 |
2003.07.23 |
申请号 |
CN01810327.8 |
申请日期 |
2001.03.27 |
申请人 |
霍尼韦尔国际公司 |
发明人 |
V·M·赛加尔;J·李;F·E·沃福德;S·费尔拉斯 |
分类号 |
C23C14/34;C23C14/14;C22C21/00 |
主分类号 |
C23C14/34 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
王景朝;罗才希 |
主权项 |
1.一种形成含铝物理气相沉积靶的方法,它包括:通过等通道角度挤压使含铝块变形,其中铝块是至少99.99%的铝并且还含有小于或等于约1000ppm的一种或多种掺杂材料,该掺杂材料包括的元素选自Ac、Ag、As、B、Ba、Be、Bi、C、Ca、Cd、Ce、Co、Cr、Cu、Dy、Er、Eu、Fe、Ga、Gd、Ge、Hf、Ho、In、Ir、La、Lu、Mg、Mn、Mo、N、Nb、Nd、Ni、O、Os、P、Pb、Pd、Pm、Po、Pr、Pt、Pu、Ra、Rf、Rh、Ru、S、Sb、Sc、Se、Si、Sm、Sn、Sr、Ta、Tb、Te、Ti、Tl、Tm、V、W、Y、Yb、Zn和Zr;变形后,使该块成型为物理气相沉积靶的至少一部分。 |
地址 |
美国新泽西州 |