| 发明名称 | 半导体器件的制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件的制造工艺，它包括：把硅烷化合物和掺杂剂注入低压化学汽相淀积反应器，以便在晶片上淀积掺杂的硅薄膜；以及在淀积结束时，注入氧化气体，以便在淀积于反应器内的硅薄膜上形成氧化物薄膜。按照本发明，能够有效地把在淀积步骤中异常生长或形成的诸如颗粒等杂质减到最少，以提高产量并提供优质和高可靠性的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1115717C | 申请公布日期 | 2003.07.23 |
| 申请号 | CN99103859.2 | 申请日期 | 1999.03.12 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 杉山智 |
| 分类号 | H01L21/205;H01L21/316;C23C16/22 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴增勇;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造工艺，包括：把硅烷化合物和掺杂剂注入低压化学汽相淀积反应器，以便在晶片上淀积掺杂的硅薄膜；在形成所述氧化物薄膜之后把反应器向大气敞开，以便用新的准备进行下一批淀积的晶片代替所述晶片；在淀积结束时，注入氧化气体，便在淀积于反应器内的硅薄膜上形成氧化物薄膜；其中，所述低压化学汽相淀积反应器包括多个气体注入器，后者不仅包括硅烷化合物用的注入器，而且包括掺杂剂用的注入器。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||