| 发明名称 | 非晶形沉淀氧化硅 | ||
| 摘要 | 可以用于形成蓄电池隔板的具有非常低的电阻率的非晶形沉淀氧化硅，其特征在于：(a)其CTAB表面积为140-185平方米/克；(b)其DBP吸油率为210-310立方厘米/100克；(c)其平均终颗粒尺寸为10-18纳米；(d)其总浸入体积为2.6-4立方厘米/克；以及(e)对于直径为20-100纳米的孔隙，其浸入体积为0.9-2立方厘米/克。 | ||
| 申请公布号 | CN1115295C | 申请公布日期 | 2003.07.23 |
| 申请号 | CN97195138.1 | 申请日期 | 1997.04.24 |
| 申请人 | PPG工业俄亥俄公司 | 发明人 | J·L·伯伊尔;T·G·克里瓦克;R·C·王;L·E·琼斯 |
| 分类号 | C01B33/12 | 主分类号 | C01B33/12 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 龙传红 |
| 主权项 | 1.非晶形沉淀氧化硅，其特征在于：(a)其CTAB表面积为140-185平方米/克；(b)其DBP吸油率为210-310立方厘米/100克；(c)其平均终颗粒尺寸为10-18纳米；(d)其总浸入体积为2.6-4立方厘米/克；以及(e)对于直径为20-100纳米的孔隙，其浸入体积为0.9-2立方厘米/克。 | ||
| 地址 | 美国俄亥俄州 | ||