发明名称 液晶显示器
摘要 说明一种使用顶闸薄膜电晶体(TFT)形成液晶显示器主动板之方法,在TFT之下使用一黑色有机光遮层(73)遮蔽TFT通道(91)以避开由下面透过基板(71)而来之光线。主动板为具有像素电极之高隙缝板,像素电极部分重叠列与行(79)导体,而有机光遮层可遮罩像素电极间之间隙(102)。
申请公布号 TW543198 申请公布日期 2003.07.21
申请号 TW090129832 申请日期 2001.12.03
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 史提芬 查尔斯 狄恩
分类号 H01L29/00 主分类号 H01L29/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种液晶显示器主动板,包括:一透明基板;一顶闸薄膜电晶体,各具有一源极及一汲极,一通道区连接源极及汲极,并有一顶闸在通道之上;一像素电极连接至顶闸薄膜电晶体;及一有机光遮层在薄膜电晶体之下,图案化以至少遮蔽顶闸薄膜电晶体之通道区,以避开由下面透过基板而来之光线。2.如申请专利范围第1项之主动板,尚包括一位于有机光遮层之上及顶闸薄膜电晶体之下之平面板。3.如申请专利范围第1项之主动板,尚包括列与行电极连接至顶闸薄膜电晶体,其中像素电极部分重叠列与行电极。4.如申请专利范围第3项之主动板,尚包括一安置在顶闸薄膜电晶体上之顶平面板,其中该顶平面板在薄膜电晶体之上界定复数个通孔,而顶平面板上之像素电极经通孔连接至薄膜电晶体。5.如申请专利范围第1项之主动板,其中有机光遮层图案化而出现在紧邻像素电极间之间隙之下,以遮蔽像素电极间之间隙而避开由下面透过透明基板而来之光线。6.一种主动矩阵液晶显示器,包括:一根据申请专利范围第1.2.3.4或5项之主动板;一被动板;及一液晶层夹于藉像素电极调变之主动与被动板间。7.一种制造液晶显示器主动板之方法,包括:在透明绝缘基板上沈积一有机光遮层并图案化;在图案化之有机光遮层上沈积源极,汲极及通道层;在源极,汲极及通道层之上至少沈积一绝缘层作为闸绝缘层;在绝缘层之上沈积一闸层并图案化,以形成复数个薄膜电晶体,各具有源极,汲极,通道及闸;及形成一像素电极层连接至源极与汲极其一;其中在有机光遮层图案化,而至少遮蔽通道以避开从下面透过透明基板而来之光线。8.如申请专利范围第7项之方法,尚包括在有机光遮层沈积平面层之步骤。9.如申请专利范围第7或8项之方法,尚包括形成列与行导体连接至顶闸薄膜电晶体之步骤,其中形成像素电极和列与行导体部分重叠。10.如申请专利范围第9项之方法,尚包括在顶闸薄膜电晶体之上沈积一顶平面层,在顶闸薄膜电晶体之上界定复数个通孔,及在顶有机平面层沈积像素电极并经通孔连接至薄膜电晶体。11.如申请专利范围第7项之方法,包括将有机光遮层图案化而出现在紧邻像素电极间之间隙下,而遮蔽像素电极间之间隙以避开从下面透过透明基板而来之光线。12.一种形成主动矩阵液晶显示器之方法,包括:如使用申请专利范围第7项之方法形成一主动板;提供一被动板;及在主动板与被动板间夹有一液晶层。图式简单说明:图1包含图1A-1E,说明制造底闸TFT液晶显示器习用方法之步骤;图2说明图1底闸TFT液晶显示器一单元;图3系习用结构之侧面图;图4系图3结构之上视图;图5说明习用顶闸TFT结构;图6包含图6a-6g,根据本发明一实例制造液晶显示器主动基板方法之步骤;图7说明本发明第一实例主动基板之示意上视图;图8使用第一实例主动基板说明液晶显示器;图9根据本发明第二实例说明透视主动基板之剖面;及图10说明第二实例主动基板之上视图。
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