黏合式晶圆之结构

摘要

一种黏合式晶圆(bonded wafer)之结构。本发明之黏合式晶圆之结构具有元件层与底材等上下两层。元件层的通道(channel)系沿着<100>晶格方向，而底材的晶格方向则与元件层的晶格方向成45度角。亦即，上层的元件层之<100>晶格方向系对齐下层的底材之<110>晶格方向，且上层的元件层之<110>晶格方向系对齐下层的底材之<100>晶格方向。运用本发明之黏合式晶圆之结构，可具有改善电洞移动率(mobility)以及抑制短通道效应(shortchannel effect； SCE)等之优点。此外，运用本发明之黏合式晶圆之结构仍能具有知黏合式晶圆之结构所具有的易于切割晶粒之优点。

主权项

1.一种黏合式晶圆(bonded wafer)之结构,至少包括:一底材;一氧化层,覆盖该底材,其中该氧化层与该底材共同具有一第一〈110〉晶格方向与一第一凹槽(notch),且该第一〈110〉晶格方向对齐该第一凹槽;以及一元件层,覆盖该氧化层,其中该元件层具有一〈100〉晶格方向与一第二凹槽、该〈100〉晶格方向对齐该第二凹槽、且该第二凹槽对齐该第一凹槽。2.如申请专利范围第1项所述之黏合式晶圆之结构,其中该底材之材质可为矽。3.如申请专利范围第1项所述之黏合式晶圆之结构,其中该氧化层之材质可为二氧化矽(SiO2)。4.如申请专利范围第1项所述之黏合式晶圆之结构,其中该元件层之材质可为矽。5.如申请专利范围第1项所述之黏合式晶圆之结构,其中更包括复数个元件位于该元件层上,且该些元件包括P型金氧半导体(P-type metal oxidesemiconductor;PMOS)。6.一种黏合式晶圆之结构,至少包括:一底材;一氧化层,覆盖该底材,其中该氧化层与该底材共同具有一第一〈110〉晶格方向与一第一凹槽,且该第一〈110〉晶格方向对齐该第一凹槽;以及一元件层,该元件层覆盖该氧化层且该元件层具有一第二〈110〉晶格方向、一〈100〉晶格方向、一第二凹槽、与一第三凹槽,其中该第二〈110〉晶格方向对齐该第二凹槽、该〈100〉晶格方向对齐该第三凹槽、该第三凹槽对齐该第一凹槽、且该第二〈110〉晶格方向与该〈100〉晶格方向间具有一夹角。7.如申请专利范围第6项所述之黏合式晶圆之结构,其中该底材之材质可为矽。8.如申请专利范围第6项所述之黏合式晶圆之结构,其中该氧化层之材质可为二氧化矽。9.如申请专利范围第6项所述之黏合式晶圆之结构,其中该元件层之材质可为矽。10.如申请专利范围第6项所述之黏合式晶圆之结构,其中更包括复数个元件位于该元件层上,且该些元件包括PMOS。11.如申请专利范围第6项所述之黏合式晶圆之结构,其中该夹角为约45度。图式简单说明:第1图系绘示习知黏合式晶圆之立体示意图;第2A图与第2B图系绘示本发明之一较佳实施例之黏合式晶圆之立体示意图;以及第3A至第3C图系绘示本发明之另一较佳实施例之黏合式晶圆之立体示意图。