发明名称 含有含氟化合物之废气处理方法
摘要 本发明之目的在提供一种废气处理方法和处理装置,该方法和装置可以长时间且高效率地处理全氟化合物(PFC)。本发明之另一目的在提供除PFC之外,尚能有效率地处理氟气、氯气、溴气等氧化性气体、氟化氢、氯化氢、溴化氢、四氟化矽、四氯化矽、四溴化矽、二氟一氧化碳等酸性气体或一氧化碳等之废气处理方法和处理装置。为达成上述目的,本发明有关之废气处理方法系将含有含氟化合物之废气,先分离该废气中之固形物后,利用触媒处理之方法,该触媒以使用具有区光绕射装置所测定绕射角2θ中,在33°±1°、37°±、1°、40°±1°、46°±1°。、67°±1°等5个角度能显现强度100以上之绕射光之结晶构造之γ-氧化铝为其特征。本发明较佳形态之废气处理方法乃以废气中添加氢气、氧气和水之任意一种以上做为分解辅助气体为其特征。
申请公布号 TW542746 申请公布日期 2003.07.21
申请号 TW090108515 申请日期 2001.04.10
申请人 荏原制作所股份有限公司 发明人 森洋一
分类号 B01D53/34 主分类号 B01D53/34
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路八十号六楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路八十号六楼
主权项 1.一种含有含氟化合物之废气处理方法,系将含有含氟化合物之废气在分离该废气中之固形物后使用触媒处理之方法,其特征为前述触媒系使用具有在X光绕射装置测定时之绕射角2中,在331、371、401、461、671等5个角度上显示强度100以上绕射线之结晶构造之-氧化铝者。2.如申请专利范围第1项之含有含氟化合物之废气处理方法,其中上述-氧化铝系加热到600至900℃,再添加氢气、氧气和水之任意一种以上做为分解辅助气体者。3.如申请专利范围第1项或第2项之含有含氟化合物之废气处理方法,其中更包括从处理后之废气中去除酸性气体之步骤。4.一种含有含氟化合物之废气处理装置,包括从含有含氟化合物之废气中分离固形物之固形物分离装置,及将来自前述固形物分离装置之废气以触媒处理之触媒处理装置,其特征为上述触媒处理装置中所填充之触媒系具有在X光绕射装置所测定之绕射角2中,在331、371、401、461、671等5个角度上显示强度100以上绕射光之结晶构造之-氧化铝者。5.如申请专利范围第4项之含有含氟化合物之废气处理装置,其中更包括来自上述固形物分离装置之废气,再添加氢气、氧气和水之任意一种以上做为分解辅助气体之添加方法者。6.如申请专利范围第4项或第5项之含有含氟化合物之废气处理装置,其中包括将前述触媒处理装置中之-氧化铝加热至600至900℃之加热方法者。7.如申请专利范围第4项或第5项之含有含氟化合物之废气处理装置,其中再具有将来自触媒处理装置之废气去除酸性气体之酸性气体去除装置者。图式简单说明:第1图示本发明较佳形态之废气处理装置之流程概况图。
地址 日本