| 主权项 |
1.一种电子元件,其系包含:由具有离子传导性及电子传导性之混合导电体材料形成之第一电极;以及由导电性物质形成之第二电极构成;其可控制电极间之电导。2.如申请专利范围第1项之电子元件,其中,前述混合导电体材料系Ag2S、Ag2Se、Cu2S或Cu2Se。3.如申请专利范围第1项之电子元件,其中,前述电极间距离在100nm以下。4.如申请专利范围第2项之电子元件,其中,前述电极间距离在100nm以下。5.如申请专利范围第1项之电子元件,其中,消耗功率在10-5W以下。6.如申请专利范围第4项之电子元件,其中,消耗功率在10-5W以下。7.如申请专利范围第1项之电子元件,其中,使用0.5V以下之电压及50A以下之电流。8.如申请专利范围第6项之电子元件,其中,使用0.5V以下之电压及50A以下之电流。9.如申请专利范围第1项之电子元件,其中,施加电压于前述电极间,俾相对于前述第一电极,使第二电极为负,并使可动离子自前述第一电极朝第二电极方向移动,藉此,形成电桥于前述电极间。10.如申请专利范围第8项之电子元件,其中,施加电压于前述电极间,俾相对于前述第一电极,使第二电极为负,并使可动离子自前述第一电极朝第二电极方向移动,藉此,形成电桥于前述电极间。11.如申请专利范围第1项之电子元件,其中,前述电极间之电导被量化。12.如申请专利范围第2项之电子元件,其中,前述电极间之电导被量化。13.如申请专利范围第9项之电子元件,其中,前述电极间之电导被量化。14.如申请专利范围第10项之电子元件,其中,前述电极间之电导被量化。15.如申请专利范围第11项之电子元件,其中,前述电导(G)以(式中,e系基本电量,h系蒲朗克常数,Ti系有助于电导之第i通道穿透概率。)来表示。16.如申请专利范围第14项之电子元件,其中,前述电导(G)以(式中,e系基本电量,h系蒲朗克常数,Ti系有助于电导之第i通道穿透概率。)来表示。17.一种电极间电导之控制方法,其系包括以下二步骤中至少一步骤:施加电压于前述电极间,俾相对于申请专利范围第1至16项中任一项之电子元件之第一电极,使第二电极为负,并使可动离子自前述第一电极朝第二电极方向移动,藉此,形成电桥于前述电极间之步骤;以及藉由使前述电极间之电压极性相反,使前述电桥变细或将其切断之步骤。18.如申请专利范围第17项之方法,其中,前述电极间之电导被量化。19.如申请专利范围第18项之方法,其中,前述电导(G)以(式中,e系基本电量,h系蒲朗克常数,Ti系有助于电导之第i通道穿透概率)来表示。20.如申请专利范围第17项之方法,其中,藉由施加脉冲状电压于前述电极间以控制电导。21.如申请专利范围第18项之方法,其中,藉由施加脉冲状电压于前述电极间以控制电导。22.如申请专利范围第19项之方法,其中,藉由施加脉冲状电压于前述电极间以控制电导。图式简单说明:图1系显示习知使用压电元件,建构金属针之电桥、细线、点接触之方法之图。图2系显示本发明建构电桥、细线、点接触之方法和使用此方法之电子元件具体例之图。图3系显示使用Ag2S作为混合导电体材料,建构电桥于电极间之模样之图。图4系显示切断建构于电极间之电桥之模样之图。图5系显示建构产生量化电导之电桥之模样之图。图6系显示一面保有量化电导一面切断电桥之模样之图。图7系显示随着电桥之建构及切断控制电压及电流变化之模样之图。图8系显示利用电导之控制例子之图。图9系显示使用Ag2Se作为混合导电体材料,建构电桥于电极间之模样之图。图10系显示使用Cu2S作为混合导电体材料,建构电桥于电极间之模样之图。 |
