| 主权项 |
1.一种研磨垫,其微橡胶A硬度为80度以上,含有由聚胺基甲酸乙酯与乙烯化合物所聚合的聚合物,且具有闭孔气泡。2.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中,含有使由聚胺基甲酸乙酯与乙烯化合物所聚合的聚合物整体化。3.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中,由乙烯化合物聚合的聚合物之含有比例为50~90重量%。4.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中,乙烯化合物为CH2=CR1COOR2(R1为甲基、乙基;R2为甲基、乙基、丙基、丁基)。5.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中,微橡胶A硬度为90度以上。6.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中,密度为0.4~1.1。7.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中,密度为0.6~0.9。8.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中,密度为0.65~0.85。9.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中,闭孔气泡之平均气泡直径为1000m以下。10.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中,闭孔气泡之平均气泡直径为500m以下。11.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中,闭孔气泡之平均气泡直径为300m以下。12.一种复合研磨垫,其系由如申请专利范围第1项之研磨垫与垫片层合而成。13.一种研磨垫之制法,其特征为使乙烯化合物浸透具有平均气泡直径为1000m以下之闭孔气泡,且密度为0.1~1.0之发泡聚胺基甲酸乙酯片板后,使乙烯化合物聚合。14.如申请专利范围第13项之研磨垫的制法,其中,乙烯化合物为GH2=CR1COOR2(R1为甲基、乙基;R2为甲基、乙基、丙基、丁基)。15.一种复合研磨垫,其系由如申请专利范围第1项之研磨垫与垫片层合而成。16.一种研磨半导体基板的方法,其特征为使如申请专利范围第1项之研磨垫或以其为构成要件之复合研磨垫固定于研磨定盘上,且在固定于研磨头端的半导体基板与该研磨垫之间夹杂研磨剂,以研磨半导体基板。 |
