| 主权项 |
1.一种电子束曝光装置,系为藉由一电子束于一晶圆上曝光形成一图案的一电子束曝光装置,该装置包括:用以发生该电子束的一电子束发生部,及具有用以对该电子束进行成形的复数个开口部的一电子束成形构件,其特征为:一第1比率,系为由该些开口部之一第1开口部之垂直于该电子束之照射方向上的一第1方向上的开口宽度,与由该第1开口部所成形之该电子束于该晶圆上曝光而成之图案之位于对应该第1方向的图案宽度的比率;以及一第2比率系为由该些开口部之一第2开口部之该第1方向上的开口宽度,与由该第2开口部所成形之该电子束于该晶圆上曝光而成之图案之位于对应该第1方向的图案宽度的比率,其中该第1比率与该第2比率不同。2.如申请专利范围第1项所述之电子束曝光装置,更包括:一第3比率,系为由于该些开口部之该第1开口部之垂直相交于该第1方向的一第2方向上的开口宽度,与由该第1开口部所成形之该电子束于该晶圆上曝光而成之图案之位于对应该第2方向的图案宽度的比率;以及一第4比率系为由该些开口部之一第2开口部之该第2方向上的开口宽度,与由该第2开口部所成形之该电子束于该晶圆上曝光而成之图案之位于对应该第2方向的图案宽度的比率,其中该第3比率与该第4比率不同。3.如申请专利范围第2项所述之电子束曝光装置,其中当该第1比率与该第3比率相等时,则该第2比率与该第4比率相等。4.如申请专利范围第1项所述之电子束曝光装置,其中当该第1开口部位于该电子束成形构件之一所定位置,且该第2开口部系设于远离该所定位置之位置之际,该第2比率系大于该第1比率。5.如申请专利范围第1项所述之电子束曝光装置,其中当该第1开口部与该第2开口部分别位于该电子束成形构件之一所定位置之相异方向上,且分别设置成距该电子束成形部件之该所定位置为相等距离时,该第2比率系大于该第1比率。图式简单说明:第1图所示系为本发明之一较佳实施例之电子束曝光装置100之结构的示意图。第2A图至第2D图所示系为用以说明光罩30之区块形状以及通过该区块而曝光于晶圆上之图案形状的示意图。 |
