| 主权项 |
1.一种阴极结构体,其特征为,可减小自阴极电极之电子放射物质上面放射而之电子束的全部、中心轴附近、或外周附近之电流密度,而放射中空状之电子束。2.如申请专利范围第1项之阴极结构体,其中,前述电子放射物质上面的中心部附近形成有凹部或贯通部,自该凹部或贯通部以外之部份放射前述中空状之电子束。3.如申请专利范围第2项之阴极结构体,其中,在前述电子放射物质上面之中心部附近形成的凹部或贯通部为圆形、椭圆形、四边形、多角形。4.一种阴极结构体,其特征为,阴极电极之电子放射物质为圆筒状,从穿过该圆筒状中心之透孔以外的环状上部或圆筒状之圆筒侧面放射中空状之电子束。5.如申请专利范围第4项之阴极结构体,其中,前述圆筒状电子放射物质圆筒内部设有突部,该突部为不放射电子束之设定区域。6.一种阴极结构体,其特征为,电子放射物质上面之中心部附近有凹部,并以环绕该凹部方式形成有隆起状之突部,从该突部上面放射中空状电子束。7.如申请专利范围第6项之阴极结构体,其中,以同心圆状之复数突部形成前述突部。8.如申请专利范围第6或7项之阴极结构体,其中,以贯穿形成于第1控制电极之孔洞来延设前述突部。9.如申请专利范围第7项之阴极结构体,其中,前述同心圆状之复数突部的高度,系随着离该同心圆状之中心轴的距离之增大而增高。10.一种阴极结构体之制造方法,其特征为,藉由在电子放射形成部件上预先形成均一电子放射物质的步骤、以及以雷射照射、机械加工、离子冲击、及金属蒸发来去除或遮蔽前述电子放射物质上面之中心附近或外周附近的步骤,在前述电子放射物质中作成不行电子放射之区域。11.如申请专利范围第10项之阴极结构体的制造方法,其中,藉由将前述电子放射物质配设于高湿度区域的步骤、以及对前述电子放射物质上面之中心附近或外周附近进行雷射照射,在该电子放射物质中作成不行电子放射之区域。12.如申请专利范围第10项之阴极结构体的制造方法,其中,前述电子放射物质为放射材含浸里,放射材含浸前对该电子放射物质上面之前述中心附近或外周附近以雷射照射或研磨作成空孔率较小之区域,并以防止放射材含浸之步骤在该放射材含浸型电子放射物质作成不行电子放射之区域。13.一种阴极结构体之制造方法,其特征为,藉由在电子放射物质形成部件之中心部附近或外周附近配设遮蔽部件的步骤、在前述电子放射物质形成部件上涂布电子放射物质的步骤、以及除去前述遮蔽部件或该遮蔽部件上之前述电子放射物质的步骤,在该电子放射物质上作成不行电子放射之区域。14.如申请专利范围第13项之阴极结构体的制造方法,其中,前述遮蔽部件系构成为设置于前述电子放射物质形成部件之中心部附近或外周附近的圆柱状或环状突出部。15.一种阴极结构体之制造方法,包含在电子放射物质形成部件上形成放射材含浸型电子放射物质之步骤,其特征为,以在前述放射材含浸型电子放射物质之中心部附近或外周附近设置放射材未含浸之物质的成形步骤,在该放射材含浸型电子放射物质作成不行电子放射之区域。16.一种电子枪,至少由阴极电极、栅极电极、及集中电极所构成者,其特征为,可减小自前述阴极电极之电子放射物质上面放射而出之电子束的全部、中心轴附近、或外周附近之电流密度,而放射中空状之电子束。17.一种阴极射线管,内建至少具有阴极电极之电子枪者,其特征为,可减小自前述阴极电极之电子放射物质上面放射而出之电子束的全部、中心轴附近、或外周附近之电流密度,而放射中空状之电子束。图式简单说明:图1为本发明之阴极结构体的1个形态例之斜视图及侧断面图。图2为本发明之阴极结构体制造方法的1个形态例之侧断面图。图3为本发明之阴极结构体制造方法的其他形态例之侧断面图。图4为本发明之阴极结构体制造方法的斜视图。图5为本发明之阴极结构体的其他形态例之侧断面图。图6为本发明之阴极结构体的电子放射物质之各种形态例的侧断面图。图7为本发明之阴极结构体的其他实施例之侧断面图、及电子放射物质之平面图及侧断面图。图8为本发明之电子枪及阴极射线管的部份切断之斜视图。图9为本发明之电子束交叉点及传统电子束之交叉点的说明图。图10为改善本发明之主透镜球面像差的说明图。图11为传统限制型阴极结构体之侧断面图。 |
