| 主权项 |
1.一种发光装置,包括:基体;多个闸接线,在基体上于一方向上彼此平行地延伸;多个资料接线,在基体上于另一方向上彼此平行地延伸,其中,该多个资料接线与该多个闸接线相交会且多个像素中的每一像素由该多个资料接线及该多个闸接线界定;至少第一薄膜电晶体,设置在个别像素处,该第一薄膜电晶体包括成对的第一杂质区、在成对的第一杂质区之间的通道区、在第一杂质区与通道区之间成对的第二杂质区、及在通道区上的闸电极,其中该闸电极电连接至对应的闸接线;至少第二薄膜电晶体,设置在个别像素处,该第二薄膜电晶体包括成对的第三杂质区、在成对的第三杂质区之间的通道区、在第三杂质区之一与通道区之间的第四杂质区、及位于通道区的闸电极,其中,另一第三杂质区邻近通道区;层间绝缘膜,在该第一及第二薄膜电晶体上;电发光元件,在该层间绝缘膜上,其中该第二薄膜电晶体电连接至电发光元件;驱动电路,包括第三薄膜电晶体,在基体上;及讯号处理电路,包括第四薄膜电晶体,在基体上。2.如申请专利范围第1项所述之发光装置,其中,该第三杂质区之一电连接至该电发光元件。3.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该发光装置适于并入选自个人电脑、摄影机、头戴式显示器、影像播放装置、及行动电脑所组成的群类之电子设备中。4.一种发光装置,包括:基体;多个闸接线,在基体上于一方向上彼此平行地延伸;多个资料接线,在基体上于另一方向上彼此平行地延伸,其中,该多个资料接线与该多个闸接线相交会且多个像素中的每一像素由该多个资料接线及该多个闸接线界定;至少第一薄膜电晶体,设置在个别像素处,该第一薄膜电晶体包括成对的第一杂质区、在成对的第一杂质区之间的通道区、在第一杂质区与通道区之间成对的第二杂质区、及在通道区上的闸电极,其中该闸电极电连接至对应的闸接线;至少第二薄膜电晶体,设置在个别像素处,该第二薄膜电晶体包括成对的第三杂质区、在成对的第三杂质区之间的通道区、在第三杂质区之一与通道区之间的第四杂质区、及位于通道区的闸电极,其中,另一第三杂质区邻近通道区;层间绝缘膜,在该第一及第二薄膜电晶体上;电发光元件,在该层间绝缘膜上,其中该第二薄膜电晶体电连接至电发光元件;驱动电路,包括第三薄膜电晶体,在基体上;及讯号处理电路,包括第四薄膜电晶体,在基体上;其中,该成对的第二杂质区未与该闸电极重叠,及其中,该第四杂质区与该闸电极至少部份地重叠。5.如申请专利范围第4项所述之发光装置,其中,该第三杂质区之一电连接至该电发光元件。6.如申请专利范围第4项所述之发光装置,其中该发光装置适于并入选自个人电脑、摄影机、头戴式显示器、影像播放装置、及行动电脑所组成的群类之电子设备中。7.一种发光装置,包括:至少二通道区;基体;多个闸接线,在基体上于一方向上彼此平行地延伸;多个资料接线,在基体上于另一方向上彼此平行地延伸,其中,该多个资料接线与该多个闸接线相交会且多个像素中的每一像素由该多个资料接线及该多个闸接线界定;至少第一薄膜电晶体,设置在个别像素处,该第一薄膜电晶体具有至少二闸电极,其中,每一该闸电极电连接至对应的闸接线;至少第二薄膜电晶体,设置在个别像素处;层间绝缘膜,在该第一及第二薄膜电晶体上;电发光元件,在该层间绝缘膜上,其中该第二薄膜电晶体电连接至电发光元件;驱动电路,包括第三薄膜电晶体,在基体上;及分波电路,包括第四薄膜电晶体,在基体上。8.如申请专利范围第7项所述之发光装置,其中该发光装置适于并入选自个人电脑、摄影机、头戴式显示器、影像播放装置、及行动电脑所组成的群类之电子设备中。9.一种发光装置,包括:基体;多个闸接线,在基体上于一方向上彼此平行地延伸;多个资料接线,在基体上于另一方向上彼此平行地延伸,其中,该多个资料接线与该多个闸接线相交会且多个像素中的每一像素由该多个资料接线及该多个闸接线界定;至少第一薄膜电晶体,设置在个别像素处,该第一薄膜电晶体具有至少二闸电极,其中,每一该闸电极电连接至对应的闸接线;至少第二薄膜电晶体,设置在个别像素处;层间绝缘膜,在该第一及第二薄膜电晶体上;电发光元件,在该层间绝缘膜上,其中该第二薄膜电晶体电连接至电发光元件;驱动电路,包括第三薄膜电晶体,在基体上;及升压电路,包括第四薄膜电晶体,在基体上。10.如申请专利范围第9项所述之发光装置,其中该发光装置适于并入选自个人电脑、摄影机、头戴式显示器、影像播放装置、及行动电脑所组成的群类之电子设备中。11.一种发光装置,包括:基体;多个闸接线,在基体上于一方向上彼此平行地延伸;多个资料接线,在基体上于另一方向上彼此平行地延伸,其中,该多个资料接线与该多个闸接线相交会且多个像素中的每一像素由该多个资料接线及该多个闸接线界定;至少第一薄膜电晶体,设置在个别像素处,该第一薄膜电晶体具有至少二闸电极,其中,每一该闸电极电连接至对应的闸接线;至少第二薄膜电晶体,设置在个别像素处;层间绝缘膜,在该第一及第二薄膜电晶体上;电发光元件,在该层间绝缘膜上,其中该第二薄膜电晶体电连接至电发光元件;驱动电路,包括第三薄膜电晶体,在基体上;及伽玛电路,包括第四薄膜电晶体,在基体上。12.如申请专利范围第11项所述之发光装置,其中该发光装置适于并入选自个人电脑、摄影机、头戴式显示器、影像播放装置、及行动电脑所组成的群类之电子设备中。13.一种发光装置,包括:基体;多个闸接线,在基体上于一方向上彼此平行地延伸;多个资料接线,在基体上于另一方向上彼此平行地延伸,其中,该多个资料接线与该多个闸接线相交会且多个像素中的每一像素由该多个资料接线及该多个闸接线界定;至少第一薄膜电晶体,设置在个别像素处,该第一薄膜电晶体具有至少二闸电极,其中,每一该闸电极电连接至对应的闸接线;至少第二薄膜电晶体,设置在个别像素处;层间绝缘膜,在该第一及第二薄膜电晶体上;电发光元件,在该层间绝缘膜上,其中该第二薄膜电晶体电连接至电发光元件;驱动电路,包括第三薄膜电晶体,在基体上;及记忆体,包括第四薄膜电晶体,在基体上。14.如申请专利范围第13项所述之发光装置,其中该发光装置适于并入选自个人电脑、摄影机、头戴式显示器、影像播放装置、及行动电脑所组成的群类之电子设备中。图式简单说明:图1显示一EL显示装置之断面结构;图2A至2E显示制造EL显示装置之程序;图3A至3D显示制造EL显示装置之程序;图4A至4D显示制造EL显示装置之程序;图5A至5C显示制造EL显示装置之程序;图6A至6B用以说明自EL显示装置输出光之方向;图7A至7B显示EL模组之外观;图8A至8C显示制造接触结构之程序;图9显示EL显示装置之像素部份之构成;图10显示EL显示装置之断面结构;图11A至11B显示EL显示装置之像素部份之顶部结构;图12显示EL显示装置之像素部份之顶部结构;及图13A至13F显示电子装置之特定实例。 |
