| 主权项 |
1.一种修补衰减式相位移光罩的方法,上述衰减式相位移光罩适用以形成接触孔(contact hole),包括下列步骤:提供一衰减式相位移光罩,其有一透光基板与一图案化相位移层,上述相位移层设置于上述透光基板表面,并且上述透光基板表面具有一接触孔透光区于上述图案化相位移层中,其中上述接触孔透光区周围之图案化相位移层具有一破损缺陷;形成一不透光层于上述接触孔透光区周围之图案化相位移中,以修补上述破损缺陷位置;以及蚀刻上述接触孔透光区内之部分透光基板至一定深度,以形成一相角180度之透光基板区。2.如申请专利范围第1项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中上述透光基板系由石英玻璃构成。3.如申请专利范围第1项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中上述透光基板之透光度约为100%。4.如申请专利范围第1项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中上述图案化相位移层系由钼矽氮氧化物(MoSiON)构成。5.如申请专利范围第1项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中上述图案化相位移层之透光度约为6%。6.如申请专利范围第1项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中上述图案化相位移层之相角系为180度。7.如申请专利范围第1项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中形成上述不透光层的步骤包括:利用一对焦离子束法,在一含烃类气体或一含碳气体的存在下,沈积一不透光层。8.如申请专利范围第7项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中上述含烃类气体系苯乙烯(styrene)气体。9.如申请专利范围第1项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中蚀刻上述接触孔透光区之透光基板系利用对焦离子束蚀刻法完成。10.如申请专利范围第9项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中蚀刻上述接触孔透光区之透光基板系利用XeF2当作辅助气体以完成蚀刻。11.一种修补衰减式相位移光罩的方法,上述衰减式相位移光罩适用以形成接触孔(contact hole),包括下列步骤:提供一衰减式相位移光罩,具有一透光基板与一图案化相位移层,上述相位移层设置于上述透光基板表面,并且上述透光基板表面具有一接触孔透光区于上述图案化相位移层中,具中上述接触孔透光区周围之图案化相位移层具有一破损缺陷;形成一不透光层于上述接触孔透光区周围之图案化相位移中,以修补上述破损缺陷位置;以及蚀刻上述接触孔透光区内之部分透光基板,以形成一相角180度之凹槽于上述接触孔透光区的中央。12.如申请专利范围第11项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中上述透光基板系由石英玻璃构成。13.如申请专利范围第11项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中上述透光基板之透光度约为100%。14.如申请专利范围第11项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中上述图案化相位移层系由钼矽氮氧化物(MoSiON)构成。15.如申请专利范围第11项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中上述图案化相位移层之透光度约为6%。16.如申请专利范围第11项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中上述图案化相位移层之相角约为180度。17.如申请专利范围第11项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中形成上述不透光层的步骤包括:利用一对焦离子束法,在一含烃类气体或一含碳气体的存在下,沈积一不透光层。18.如申请专利范围第17项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中上述含烃类气体系苯乙烯(styrene)气体。19.如申请专利范围第11项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中蚀刻上述接触孔透光区之透光基板系利用对焦离子束蚀刻法完成。20.如申请专利范围第19项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中蚀刻上述接触孔透光区之透光基板系利用XeF2当作辅助气体以完成蚀刻。21.一种修补衰减式相位移光罩的方法,上述衰减式相位移光罩适用以形成接触孔(contact hole),包括下列步骤:提供一衰减式相位移光罩,具有一透光基板与一图案化相位移层,上述相位移层设置于上述透光基板表面,并且上述透光基板表面具有一接触孔透光区于上述图案化相位移层中,其中上述接触孔透光区周围之图案化相位移层具有一破损缺陷;形成一不透光层于上述接触孔透光区周围之图案化相位移中,以修补上述破损缺陷位置;以及蚀刻上述接触孔透光区内之部分透光基板,以形成一相角180度之凹槽于上述接触孔透光区的外框周围。22.如申请专利范围第21项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中上述透光基板系由石英玻璃构成。23.如申请专利范围第21项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中上述透光基板之透光度约为100%。24.如申请专利范围第21项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中上述图案化相位移层系由钼矽氮氧化物(MoSiON)构成。25.如申请专利范围第21项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中上述图案化相位移层之透光度约为6%。26.如申请专利范围第21项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中上述图案化相位移层之相角约为180度。27.如申请专利范围第21项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中形成上述不透光层的步骤包括:利用一对焦离子束法,在一含烃类气体或一含碳气体的存在下,沈积一不透光层。28.如申请专利范围第27项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中上述含烃类气体系苯乙烯(styrene)气体。29.如申请专利范围第21项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中蚀刻上述接触孔透光区之透光基板系利用对焦离子束蚀刻法完成。30.如申请专利范围第29项所述之修补衰减式相位移光罩的方法,其中蚀刻上述接触孔透光区之透光基板系利用XeF2当作辅助气体以完成蚀刻。图式简单说明:第1图系显示一用以定义晶圆上接触孔(contact hole)图案之习知衰减式相位移光罩。第2A图至第2C图系显示根据本发明之一较佳实施例之制程流程图。第3A图至第3B图系显示根据本发明之一较佳实施例之光罩俯视图。第4A图至第4C图系显示根据本发明之另一较佳实施例之制程流程图。第5A图至第5B图系显示根据本发明之另一较佳实施例之光罩俯视图。第6A图与第6B图分别显示最佳聚焦(best focus)与偏聚焦(defocus)下,使用完整光罩(曲线A)、经过习知之沈积方式修补的光罩(曲线B)与根据本发明方式修补之光罩(曲线C)进行曝光后之结果。 |
