发明名称 具有有机发光元件之发光装置
摘要 藉由应用包括电洞注入材料811和电洞传送材料812的电洞传送混合层,包括电洞传送材料812和电子传送材料813的双极特性混合层,或包括电子传送材料813和电子注入材料814的电子传送混合层,以及进一步,形成如图形810所示的浓度梯度,可提高有机发光元件中各层间的载子填充品质。藉由这种措施,可提供低功耗和长寿命的有机发光元件,且该有机发光元件可用于制造发光装置和电气装置。
申请公布号 TW543342 申请公布日期 2003.07.21
申请号 TW090132573 申请日期 2001.12.27
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 濑尾哲史;山崎舜平
分类号 H05B33/10 主分类号 H05B33/10
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种发光装置,包含:一有机发光元件,该发光元件包含:一阳极;一阴极;和提供在阳极和阴极之间,包括第一化合物和第二化合物的电洞传送层;其中第一化合物的离子电位比第二化合物的小,且其中第二化合物的电洞迁移率比第一化合物的大。2.如申请专利范围第1项之发光装置,其中存在有之浓度梯度为第一化合物的浓度沿从阳极至阴极的方向降低,而第二化合物的浓度沿从阳极至阴极的方向增加。3.如申请专利范围第1项之发光装置,其中第一化合物包括菁化合物。4.如申请专利范围第1项之发光装置,其中第二化合物包括芳香胺基化合物。5.如申请专利范围第1项之发光装置,其中有机发光元件有来自三重激发态的发光。6.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该发光装置安装在一电气装置中,该电气装置选自由显示装置,视频相机,数位相机,影像再生装置,移动携带型电脑,个人电脑,行动电话,和音响设备所组成之群之一。7.一种发光装置,包含:一有机发光元件,该发光元件包含:一阳极;一阴极;和提供在阳极和阴极之间,包括第一化合物和第二化合物的电子传送层;其中第一化合物的电子亲合能比第二化合物的大,以及其中第二化合物的电子迁移率比第一化合物的大。8.如申请专利范围第7项之发光装置,其中之浓度梯度为第一化合物的浓度沿从阳极至阴极的方向增加,而第二化合物的浓度沿从阳极至阴极的方向降低。9.如申请专利范围第7项之发光装置,其中第一化合物从下述的组中选出,该组由硷金属卤化物,具有骨架的金属复合物,具有苯并骨架的金属复合物,恶二唑衍生物,或三唑衍生物组成。10.如申请专利范围第7项之发光装置,其中第二化合物从下述的组中选出,该组由具有骨架的金属复合物,具有苯并骨架的金属复合物,恶二唑衍生物,三唑衍生物,或菲咯衍生物组成。11.如申请专利范围第7项之发光装置,其中有机发光元件有来自三重激发态的发光。12.如申请专利范围第7项之发光装置,其中该发光装置安装在一电气装置中,该电气装置选自由显示装置,视频相机,数位相机,影像再生装置,移动携带型电脑个人电脑,行动电话,和音响设备所组成之群之一。13.一种发光装置,包含:一有机发光元件,该发光元件包含:一阳极;一阴极;和提供在阳极和阴极之间,包括第一化合物和第二化合物的发光层;其中第一化合物的电洞迁移率比第二化合物的大,并且其中第二化合物的电子迁移率比第一化合物的大。14.如申请专利范围第13项之发光装置,其中之浓度梯度为第一化合物的浓度沿从阳极至阴极的方向降低,而第二化合物的浓度沿从阳极至阴极的方向增加。15.如申请专利范围第13项之发光装置,其中第一化合物包括芳香胺基化合物。16.如申请专利范围第13项之发光装置,其中第二化合物从下述之组中选出,该组由具有骨架的金属复合物,具有苯并骨架的金属复合物,恶二唑衍生物,三唑衍生物,或菲咯衍生物组成。17.如申请专利范围第13项之发光装置,其中有机发光元件有来自三重激发态的发光。18.如申请专利范围第13项之发光装置,其中该发光装置安装在一电气装置中,该电气装置选自由显示装置,视频相机,数位相机,影像再生装置,移动携带型电脑个人电脑,行动电话,和音响设备所组成之群之一。19.一种发光装置,包含:一有机发光元件,该发光元件包含:一阳极;一阴极;和提供在阳极和阴极之间,包括第一化合物,第二化合物,和第三化合物的发光层;其中第一化合物的电洞迁移率比第二化合物的大,其中第二化合物的电子迁移率比第一化合物的大,并且其中第三化合物中的最高被占据分子轨道与最低未被占据分子轨道之间的能量差比第一化合物中和第二化合物中的最高被占据分子轨道与最低未被占据分子轨道之间的能量差小。20.如申请专利范围第19项之发光装置,其中之浓度梯度为第一化合物的浓度沿从阳极至阴极的方向降低,而第二化合物的浓度沿从阳极至阴极的方向增加。21.如申请专利范围第19项之发光装置,其中第一化合物包括芳香胺基化合物。22.如申请专利范围第19项之发光装置,其中第二化合物从下述的组中选出,该组由具有骨架的金属复合物,具有苯并骨架的金属复合物,恶二唑衍生物,三唑衍生物,或菲咯衍生物组成。23.如申请专利范围第19项之发光装置,其中有机发光元件有来自三重激发态的发光。24.如申请专利范围第19项之发光装置,其中发光装置为一电气装置,其选自由显示装置,视频相机,数位相机,影像再生装置,移动携带型电脑,个人电脑,行动电话,和音响设备所组成之群之一。25.一种发光装置,包含:一有机发光元件,该发光元件包含:一阳极;一阴极;提供在阳极和阴极之间,包括第一化合物和第二化合物的发光层;和提供在阳极和阴极之间,与发光层相邻的阻挡层;其中阻挡层包括阻挡材料和包含在发光层中的材料,和其中阻挡材料中的最高被占据分子轨道和最低未被占据分子轨道之间的能量差比包含在发光层中的材料中的最高被占据分子轨道和最低未被占据分子轨道之间的能量差大。26.如申请专利范围第25项之发光装置,其中存在有浓度梯度为包含在发光层中的材料的浓度沿从阳极至阴极的方向降低,而阻挡材料的浓度沿从阳极至阴极的方向增加。27.如申请专利范围第25项之发光装置,其中阻挡材料从下述的组中选出,该组由恶二唑衍生物,三唑衍生物,或菲咯衍生物组成。28.如申请专利范围第25项之发光装置,其中有机发光元件呈现由三重激发态导致的光。29.如申请专利范围第25项之发光装置,其中该发光装置安装在一电气装置中,该电气装置选自由显示装置,视频相机,数位相机,影像再生装置,移动携带型电脑个人电脑,行动电话,和音响设备所组成之群之一。30.一种发光装置,包含:一有机发光元件,该发光元件包含:一阳极;一阴极;和提供在阳极和阴极之间,包括含电洞传送材料的电洞传送区域和含电子传送材料的电子传送区域的有机化合物层;其中电洞传送区域比电子传送区域靠近阳极排列,和其中包括电洞传送材料和电子传送材料的混合区域提供在电洞传送区域和电子传送区域之间。31.如申请专利范围第30项之发光装置,其中在混合区域中存在有之浓度梯度为电洞传送材料的浓度沿从阳极至阴极的方向降低,而电子传送材料的浓度沿从阳极至阴极的方向增加。32.如申请专利范围第30项之发光装置,其中发光材料被掺入混合区域中。33.如申请专利范围第30项之发光装置,其中发光材料被掺入混合区域中的一部分中。34.如申请专利范围第30项之发光装置,其中阻挡材料被掺入混合区域中,并且阻挡材料中的最高被占据分子轨道和最低未被占据分子轨道之间的能量差比电洞传送材料中的和电子传送材料中的能量差大。35.如申请专利范围第34项之发光装置,其中阻挡材料被掺入混合区域的一部分中。36.如申请专利范围第34项之发光装置,其中发光材料和阻挡材料被掺入混合区域中。37.如申请专利范围第36项之发光装置,其中添加发光材料的部分比添加阻挡材料的部分靠近阳极排列。38.如申请专利范围第32,33,34,36,或37中任一项之发光装置,其中发光材料呈现由三重激发态导致的光。39.如申请专利范围第36项之发光装置,其中混合区域中电洞传送材料的质量与电洞传送材料和电子传送材料总质量之比为大于或等于10%和小于或等于90%。40.如申请专利范围第36项之发光装置,其中混合区域的厚度为大于或等于10nm和小于或等于100nm。41.如申请专利范围第30项之发光装置,其中该发光装置安装在一电气装置中,该电气装置选自由显示装置,视频相机,数位相机,影像再生装置,移动携带型电脑,个人电脑,行动电话,和音响设备所组成之群之一。42.一种发光装置,包含:一有机发光元件,该发光元件包含:一阳极;一阴极;与阳极相邻的电洞注入区域;和提供在电洞注入区域和阴极之间,包括含电洞传送材料的电洞传送区域和含电子传送材料的电子传送区域的有机化合物层;其中电洞传送区域比电子传送区域靠近阳极排列,和其中包括电洞传送材料和电子传送材料的混合区域提供在电洞传送区域和电子传送区域之间。43.如申请专利范围第42项之发光装置,其中在混合区域中存在有之浓度梯度为电洞传送材料的浓度沿从阳极至阴极的方向降低,而电子传送材料的浓度沿从阳极至阴极的方向增加。44.如申请专利范围第42项之发光装置,其中发光材料被掺入混合区域中。45.如申请专利范围第42项之发光装置,其中发光材料被掺入混合区域中的一部分中。46.如申请专利范围第42项之发光装置,其中阻挡材料被掺入混合区域中,并且阻挡材料中的最高被占据分子轨道和最低未被占据分子轨道之间的能量差比电洞传送材料中的和电子传送材料中的能量差大。47.如申请专利范围第46项之发光装置,其中阻挡材料被掺入混合区域的一部分中。48.如申请专利范围第46项之发光装置,其中发光材料和阻挡材料被掺入混合区域中。49.如申请专利范围第48项之发光装置,其中添加发光材料的部分比添加阻挡材料的部分靠近阳极排列。50.如申请专利范围第44,45,48,或49项中任一项之发光装置,其中发光材料呈现由三重激发态导致的光。51.如申请专利范围第48项之发光装置,其中混合区域中电洞传送材料的质量与电洞传送材料和电子传送材料总质量之比为大于或等于10%和小于或等于90%。52.如申请专利范围第48项之发光装置,其中混合区域的厚度为大于或等于10nm和小于或等于100nm。53.如申请专利范围第42项之发光装置,其中该发光装置安装在一电气装置中,该电气装置选自由显示装置,视频相机,数位相机,影像再生装置,移动携带型电脑,个人电脑,行动电话,和音响设备所组成之群之一。54.一种发光装置,包含:一有机发光元件,该发光元件包含:一阳极;一阴极;与阴极接触的电子注入区域;和提供在阳极和电子注入区域之间,包括含电洞传送材料的电洞传送区域和含电子传送材料的电子传送区域的有机化合物层;其中电洞传送区域比电子传送区域靠近阳极排列,和其中包括电洞传送材料和电子传送材料的混合区域提供在电洞传送区域和电子传送区域之间。55.如申请专利范围第54项之发光装置,其中在混合区域中存在之浓度梯度为电洞传送材料的浓度沿从阳极至阴极的方向降低,而电子传送材料的浓度沿从阳极至阴极的方向增加。56.如申请专利范围第54项之发光装置,其中发光材料被掺入混合区域中。57.如申请专利范围第54项之发光装置,其中发光材料被掺入混合区域中的一部分中。58.如申请专利范围第54项之发光装置,其中阻挡材料被掺入混合区域中,并且阻挡材料中的最高被占据分子轨道和最低未被占据分子轨道之间的能量差比电洞传送材料中的和电子传送材料中的能量差大。59.如申请专利范围第58项之发光装置,其中阻挡材料被掺入混合区域的一部分中。60.如申请专利范围第58项之发光装置,其中发光材料和阻挡材料被掺入混合区域中。61.如申请专利范围第60项之发光装置,其中添加发光材料的部分比添加阻挡材料的部分靠近阳极排列。62.如申请专利范围第56,57,60,或61项中任一项之发光装置,其中发光材料呈现由三重激发态导致的光。63.如申请专利范围第60项之发光装置,其中混合区域中电洞传送材料的质量与电洞传送材料和电子传送材料总质量之比为大于或等于10%和小于或等于90%。64.如申请专利范围第60项之发光装置,其中混合区域的厚度为大于或等于10nm和小于或等于100nm。65.如申请专利范围第54项之发光装置,其中该发光装置安装在一电气装置中,该电气装置选自由显示装置,视频相机,数位相机,影像再生装置,移动携带型电脑,个人电脑,行动电话,和音响设备所组成之群之一。66.一种发光装置,包含:一有机发光元件,该发光元件包含:一阳极;一阴极;与阳极相邻的电洞注入区域;与阴极相邻的电子注入区域;和提供在电洞注入区域和电子注入区域之间,包括含电洞传送材料的电洞传送区域和含电子传送材料的电子传送区域的有机化合物层;其中电洞传送区域比电子传送区域靠近阳极排列,和其中包括电洞传送材料和电子传送材料的混合区域提供在电洞传送区域和电子传送区域之间。67.如申请专利范围第66项之发光装置,其中在混合区域中存在有之浓度梯度为电洞传送材料的浓度沿从阳极至阴极的方向降低,而电子传送材料的浓度沿从阳极至阴极的方向增加。68.如申请专利范围第66项之发光装置,其中发光材料被掺入混合区域中。69.如申请专利范围第66项之发光装置,其中发光材料被掺入混合区域中的一部分中。70.如申请专利范围第66项之发光装置,其中阻挡材料被掺入混合区域中,并且阻挡材料中的最高被占据分子轨道和最低未被占据分子轨道之间的能量差比电洞传送材料中的和电子传送材料中的能量差大。71.如申请专利范围第70项之发光装置,其中阻挡材料被掺入混合区域的一部分中。72.如申请专利范围第70项之发光装置,其中发光材料和阻挡材料被掺入混合区域中。73.如申请专利范围第72项之发光装置,其中添加发光材料的部分比添加阻挡材料的部分靠近阳极排列。74.如申请专利范围第69,70,72,或73中任一项之发光装置,其中发光材料呈现由三重激发态导致的光。75.如申请专利范围第72项之发光装置,其中混合区域中电洞传送材料的质量与电洞传送材料和电子传送材料总质量之比为大于或等于10%和小于或等于90%。76.如申请专利范围第72项之发光装置,其中混合区域的厚度为大于或等于10nm和小于或等于100nm。77.如申请专利范围第66项之发光装置,其中该发光装置安装在一电气装置中,该电气装置选自由显示装置,视频相机,数位相机,影像再生装置,移动携带型电脑,个人电脑,行动电话,和音响设备所组成之群之一。78.一种发光装置,包含:一有机发光元件,该发光元件包含:一阳极;一阴极;和提供在阳极和阴极之间,包括含电洞传送材料的电洞传送区域和含电子传送材料的电子传送区域的有机化合物层;其中包括电洞传送材料和电子传送材料的混合区域提供在电洞传送区域和电子传送区域之间,其中添加发光材料的发光区域提供在混合区域中。79.如申请专利范围第78项之发光装置,其中混合区域按固定比例包括电洞传送材料和电子传送材料。80.如申请专利范围第78项之发光装置,其中发光区域是混合区域的一部分。81.如申请专利范围第78项之发光装置,其中阻挡材料被掺入混合区域的一部分中,其最高被占据分子轨道和最低未被占据分子轨道之间的能量差与电洞传送材料中的和电子传送材料中的能量差相比为大。82.如申请专利范围第81项之发光装置,其中发光区域比添加阻挡材料的部分靠近阳极排列。83.如申请专利范围第78项之发光装置,其中发光材料呈现由三重激发态导致的光。84.如申请专利范围第78项之发光装置,其中混合区域中电洞传送材料的质量与电洞传送材料和电子传送材料总质量之比为大于或等于10%和小于或等于90%。85.如申请专利范围第78项之发光装置,其中混合区域的厚度为大于或等于10nm和小于或等于100nm。86.如申请专利范围第78项之发光装置,其中该发光装置安装在一电气装置中,该电气装置选自由显示装置,视频相机,数位相机,影像再生装置,移动携带型电脑,个人电脑,行动电话,和音响设备所组成之群之一。87.一种发光装置,包含:一有机发光元件,该发光元件包含:一阳极;一阴极;与阳极相邻的电洞注入区域;和提供在电洞注入区域和阴极之间,包括含电洞传送材料的电洞传送区域和含电子传送材料的电子传送区域的有机化合物层;其中包括电洞传送材料和电子传送材料的混合区域提供在电洞传送区域和电子传送区域之间,和其中添加发光材料的发光区域提供在混合区域中。88.如申请专利范围第87项之发光装置,其中混合区域按固定比例包括电洞传送材料和电子传送材料。89.如申请专利范围第87项之发光装置,其中发光区域是混合区域的一部分。90.如申请专利范围第87项之发光装置,其中阻挡材料被掺入混合区域的一部分中,其最高被占据分子轨道和最低未被占据分子轨道之间的能量差与电洞传送材料中的和电子传送材料中的能量差相比为大。91.如申请专利范围第90项之发光装置,其中发光区域比添加阻挡材料的部分靠近阳极排列。92.如申请专利范围第87项之发光装置,其中发光材料呈现由三重激发态导致的光。93.如申请专利范围第87项之发光装置,其中混合区域中电洞传送材料的质量与电洞传送材料和电子传送材料总质量之比为大于或等于10%和小于或等于90%。94.如申请专利范围第87项之发光装置,其中混合区域的厚度为大于或等于10nm和小于或等于100nm。95.如申请专利范围第87项之发光装置,其中该发光装置安装在一电气装置中,该电气装置选自由显示装置,视频相机,数位相机,影像再生装置,移动携带型电脑,个人电脑,行动电话,和音响设备所组成之群之一。96.一种发光装置,包含:一有机发光元件,该发光元件包含:一阳极;一阴极;与阴极相邻的电子注入区域;和提供在电子注入区域和阴极之间,包括含电洞传送材料的电洞传送区域和含电子传送材料的电子传送区域的有机化合物层;其中包括电洞传送材料和电子传送材料的混合区域提供在电洞传送区域和电子传送区域之间,和其中添加发光材料的发光区域提供在混合区域中。97.如申请专利范围第96项之发光装置,其中混合区域按固定比例包括电洞传送材料和电子传送材料。98.如申请专利范围第96项之发光装置,其中发光区域是混合区域的一部分。99.如申请专利范围第96项之发光装置,其中阻挡材料被掺入混合区域的一部分中,其最高被占据分子轨道和最低未被占据分子轨道之间的能量差与电洞传送材料中的和电子传送材料中的能量差相比为大。100.如申请专利范围第99项之发光装置,其中发光区域比添加阻挡材料的部分靠近阳极排列。101.如申请专利范围第96项之发光装置,其中发光材料呈现由三重激发态导致的光。102.如申请专利范围第96项之发光装置,其中混合区域中电洞传送材料的质量与电洞传送材料和电子传送材料总质量之比为大于或等于10%和小于或等于90%。103.如申请专利范围第96项之发光装置,其中混合区域的厚度为大于或等于10nm和小于或等于100nm。104.如申请专利范围第96项之发光装置,其中该发光装置安装在一电气装置中,该电气装置选自由显示装置,视频相机,数位相机,影像再生装置,移动携带型电脑,个人电脑,行动电话,和音响设备所组成之群之一。105.一种发光装置,包含:一有机发光元件,该发光元件包含:一阳极;一阴极;与阳极相邻的电洞注入区域;与阴极相邻的电子注入区域;和提供在电子注入区域和电洞注入区域之间,包括含电洞传送材料的电洞传送区域和含电子传送材料的电子传送区域的有机化合物层;其中包括电洞传送材料和电子传送材料的混合区域提供在电洞传送区域和电子传送区域之间,和其中添加发光材料的发光区域提供在混合区域中。106.如申请专利范围第105项之发光装置,其中混合区域按固定比例包括电洞传送材料和电子传送材料。107.如申请专利范围第105项之发光装置,其中发光区域是混合区域的一部分。108.如申请专利范围第105项之发光装置,其中阻挡材料被掺入混合区域的一部分中,其最高被占据分子轨道和最低未被占据分子轨道之间的能量差与电洞传送材料中的和电子传送材料中的能量差相比为大。109.如申请专利范围第108项之发光装置,其中发光区域比添加阻挡材料的部分靠近阳极排列。110.如申请专利范围第105项之发光装置,其中发光材料呈现由三重激发态导致的光。111.如申请专利范围第105项之发光装置,其中混合区域中电洞传送材料的质量与电洞传送材料和电子传送材料总质量之比为大于或等于10%和小于或等于90%。112.如申请专利范围第105项之发光装置,其中混合区域的厚度为大于或等于10nm和小于或等于100nm。113.如申请专利范围第105项之发光装置,其中该发光装置安装在一电气装置中,该电气装置选自由显示装置,视频相机,数位相机,影像再生装置,移动携带型电脑,个人电脑,行动电话,和音响设备所组成之群之一。114.一种发光装置,包含:一有机发光元件,该发光元件包含:一阳极;一阴极;与阳极相邻包括电洞注入材料和电洞传送材料的第一混合区域;与阴极相邻包括电子注入材料和电子传送材料的第二混合区域;和提供在第一混合区域和第二混合区域之间,包括电洞传送材料和电子传送材料的第三混合区域。115.如申请专利范围第114项之发光装置,其中在第一混合区域中存在有之浓度梯度为电洞传送材料的浓度沿从阳极至第三区域的方向降低,而电洞注入材料的浓度沿从阳极至第三区域的方向增加。116.如申请专利范围第114项之发光装置,其中在第二混合区域中存在有之浓度梯度为电子传送材料的浓度沿从阴极至第三区域的方向增加,而电子注入材料的浓度沿从阴极至第三区域的方向降低。117.如申请专利范围第114项之发光装置,其中在第三混合区域中存在有之浓度梯度为电子传送材料的浓度沿从第二区域至第一区域的方向降低,而电洞传送材料的浓度沿从第二区域至第一区域的方向增加。118.如申请专利范围第114项之发光装置,其中发光材料被掺入第三区域的一部分中。119.如申请专利范围第118项之发光装置,其中发光材料为三重发光二极体。120.如申请专利范围第118项之发光装置,其中该发光装置安装在一电气装置中,该电气装置选自由显示装置,视频相机,数位相机,影像再生装置,移动携带型电脑,个人电脑,行动电话,和音响设备所组成之群之一。121.一种发光装置,包含:一有机发光元件,该发光元件包含:一阳极;一阴极;与阳极邻接包括电洞注入材料和电洞传送材料的第一混合区域;与第一混合区域邻接包括电洞传送材料和基质材料的第二混合区域;与第二混合区域邻接包括基质材料和阻挡材料的第三混合区域;和提供在第三混合区域和阴极之间,包括阻挡材料和电子注入材料的第四混合区域。122.如申请专利范围第121项之发光装置,其中在第一区域中存在有之浓度梯度为电洞注入材料的浓度沿从阳极至第二区域的方向降低,而电洞传送材料的浓度沿从阳极至第二区域的方向增加。123.如申请专利范围第121项之发光装置,其中在第二区域中存在有之浓度梯度为电洞传送材料的浓度沿从第一区域至第三区域的方向降低,而基质材料的浓度沿从第一区域至第三区域的方向增加。124.如申请专利范围第121项之发光装置,其中在第三区域中存在有之浓度梯度为基质材料的浓度沿从第二区域至第四区域的方向降低,而阻挡材料的浓度沿从第二区域至第四区域的方向增加。125.如申请专利范围第121项之发光装置,其中在第四区域中存在有之浓度梯度为阻挡材料的浓度沿从第三区域至阴极的方向降低,而电子注入材料的浓度沿从第三区域至阴极的方向增加。126.如申请专利范围第121项之发光装置,其中发光材料被掺入第二区域和第三区域两者的一部分中。127.如申请专利范围第126项之发光装置,其中发光材料为三重发光二极体。128.如申请专利范围第121项之发光装置,其中阻挡材料用电子传送材料。图式简单说明:图1A和1B为电洞注入层作用的视图。图2为浓度梯度的视图。图3为浓度梯度的视图。图4为浓度梯度的视图。图5为一种有机发光元件的结构的视图。图6为一种有机发光元件的结构的视图。图7为一种有机发光元件的结构的视图。图8为一种有机发光元件的结构的视图。图9为一种有机发光元件的结构的视图。图10为一种有机发光元件的结构的视图。图11为一种沉积装置的视图。图12A和12B为一发光装置剖面构造的视图。图13A和13B为一发光装置顶部表面构造和剖面构造的视图。图14A至14C为一发光装置顶部表面构造和剖面构造的视图。图15A和15B为一发光装置构造的视图。图16A和16B为一发光装置构造的视图。图17A至17F为电气装置具体实例的视图。图18A和18B为电气装置具体实例的视图。图19A和19B为能带图。图20A和20B为能带图。图21为有机化合物层之状态图。图22为一沉积设备的视图。图23为形成杂质层的视图。图24为有机发光元件的结构的视图。图25为有机化合物层之状态图。图26A和26B为有机发光元件的结构的视图。图27为有机发光元件的结构的视图。图28为浓度分布的视图。图29A和29B为有机发光元件的结构的视图。图30A和30B为有机发光元件的结构的视图。图31A和31B为一沉积设备的视图。图32A和32B为一沉积设备的视图。图33为有机发光元件的结构的视图。图34为一发光装置剖面构造的视图。图35为一发光装置剖面构造的视图。图36A至36C为一发光装置构造形式的视图。图37为电路结构的视图。
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