| 主权项 |
1.一种抛光基板之方法,包括以下之连续步骤:(a)提供一基板,此基板包括(i)包含绝缘材料之第一层,(ii)包含不同于绝缘材料之填补材料之第二层、及(iii)复数个场及沟渠区域;(b)使聚合材料于基板上渗透,其中聚合材料填补沟渠区域及覆盖场区域;(c)使基板受到约100℃以上之温度约30分钟以上,以致在基板之抛光过程中,相较于除了使基板受到约100℃以上之温度约30分钟以上之外在相同条件下之基板之抛光,使沟渠区域中之填补材料的玷污降低;及(d)抛光基板,以将聚合材料及填补材料自基板之场区域移除,及使沟渠区域中之聚合材料与场区域之绝缘材料实质上为平面或凹陷于其下方。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该填补材料系为高K介电材料。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中该高K介电材料系为五氧化二钽。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该填补材料系为金属。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中该金属系为周期表中之过渡金属或第IIIA族金属。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中该金属系选自由铜、铝、钽、钛、钨、金、铂、铱、钌、钴、镍、铬、及其混合物所组成之群。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中该金属系为铂。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中该聚合材料包括光阻剂、聚醯亚胺、或其混合物。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中该聚合材料包括光阻剂。10.根据申请专利范围第1项之方法,其中该沟渠区域中之填补材料的玷污于抛光时实质上地降低。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中该沟渠区域中之填补材料的玷污于抛光时消除。12.根据申请专利范围第1项之方法,其中该方法于步骤(d)之后更包括将基板灰化,以致将沟渠区域中之聚合材料移除。13.根据申请专利范围第1项之方法,其中该方法于步骤(b)及(c)之间更包括(i)将聚合材料自场区域移除,及(ii)烘烤基板,以致沟渠区域中之聚合材料变为凹陷于场区域之绝缘材料的下方。14.根据申请专利范围第13项之方法,其中该方法于步骤(c)及(d)之间更包括在聚合材料上方沈积一层额外的材料,其中该额外材料具有较聚合材料高之模数,以致其在沟渠区域中之聚合材料及场区域中之填补材料上方形成一层,且其中步骤(d)更包括抛光或蚀刻基板,以将额外的材料自基板之场区域移除,而使沟渠区域中之额外材料与场区域之绝缘材料实质上为平面。15.根据申请专利范围第14项之方法,其中该填补材料系为高K介电材料。16.根据申请专利范围第15项之方法,其中该高K介电材料系为五氧化二钽。17.根据申请专利范围第14项之方法,其中该填补材料系为金属。18.根据申请专利范围第17项之方法,其中该金属系为周期表中之过渡金属或第IIIA族金属。19.根据申请专利范围第18项之方法,其中该金属系选自由铜、铝、钽、钛、钨、金、铂、铱、钌、钴、镍、铬、及其混合物所组成之群。20.根据申请专利范围第19项之方法,其中该金属系为铂。21.根据申请专利范围第14项之方法,其中该聚合材料包括光阻剂、聚醯亚胺、或其混合物。22.根据申请专利范围第21项之方法,其中该聚合材料包括光阻剂。23.根据申请专利范围第14项之方法,其中该额外材料之层包括旋涂玻璃、二氧化矽、或其混合物。24.根据申请专利范围第23项之方法,其中该额外材料之层包括旋涂玻璃。25.根据申请专利范围第14项之方法,其中该沟渠区域中之填补材料的玷污于抛光时实质上地降低。26.根据申请专利范围第25项之方法,其中该沟渠区域中之填补材料的玷污于抛光时消除。27.根据申请专利范围第14项之方法,其中该方法于步骤(d)之后更包括,(e)利用蚀刻剂蚀刻基板,以致将该额外材料之层移除,及(f)将基板灰化,以致将沟渠区域中之聚合材料移除。28.根据申请专利范围第27项之方法,其中该蚀刻剂系选自由钠盐、钾盐、铵盐、第四铵盐、过氧化物、氯酸盐、过氯酸盐、过锰酸盐、过硫酸盐、氟化物、及其混合物所组成之群。29.根据申请专利范围第28项之方法,其中该蚀刻剂系为氟化物。30.根据申请专利范围第29项之方法,其中该蚀刻剂系为氟化氢。图式简单说明:图1系描绘在本发明中利用于降低抛光时之沟渠内玷污之步骤的图式。图2系描绘在本发明中可利用于降低抛光时之沟渠内玷污之额外步骤的图式。 |
