| 主权项 |
1.一种整合MIM铜电容元件、电感元件、与铜导线的方法,包括下列步骤:(a)提供一半导体基底,该基底表面分为电容区、电感区、和铜导线区,在该电容区上具有第一铜区块,当作该电容元件之下电极,在该电感区上具有第二铜区块,在铜导线区上具有第三铜区块;(b)全面性地在该半导体基底上方形成第一介电层;(c)在电容区上,选择性地除去该第一介电层而形成露出该第一铜区块的第一开口,以界定出该电容元件之上电极的范围;(d)在该第一开口之底部及侧壁形成一绝缘层,以当作该电容元件之绝缘层;(e)选择性地除去该第一介电层而同时形成露出该第二铜区块的第二开口,以界定出该电感元件之插塞,以及形成露出该第三铜区块的第三开口,以界定出该铜导线之插塞;以及(f)同时在该第一开口、第二开口、及第三开口内填入铜金属,以分别当作该电容元件之上电极、该电感元件之插塞、以及该铜导线之插塞。2.如申请专利范围第1项所述之方法,在步骤(f)进行之后,更包括以下步骤:全面性地形成第二介电层;选择性地除去该第二介电层而同时形成露出该电容元件之上电极的第一沟槽、形成露出该电感元件之插塞的第二沟槽、及形成露出该铜导线之插塞的第三沟槽;以及同时在该第一沟槽、第二沟槽、和第三沟槽内填入铜金属,以构成铜内连线。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在进行步骤(b)之前更包括全面性地在该半导体基底上方形成一蚀刻停止层。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该蚀刻停止层为SiON。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该绝缘层为择自由TaN、SiN、SiON所组成之族群中。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该绝缘层为TaN。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一介电层为二氧化矽层。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(f)填入铜的方法包括:以电化学沈积法全面性地形成一铜金属层;以及利用化学机械研磨法进行上述铜金属层的平坦化。图式简单说明:第1A~1D图系传统上整合铜导线与电容元件之制程剖面示意图。第2A~2G图系依据本发明之较佳实施例以整合MIM铜电容元件、电感元件、与铜导线之制程剖面示意图。 |
