| 主权项 |
1.一种弹性表面波装置,其特征在于,具备:具有负频率温度特性的压电基板;形成于前述压电基板上的至少一个弹性表面波滤波器;形成于前述压电基板上、与前述弹性表面波滤波器串联及/或并联的至少1个一端子对弹性表面波谐振器;前述压电基板上,除了构成前述弹性表面波滤波器的区域外,至少具备1个具有正频率温度特性的膜,该膜系形成为覆盖至少1个前述弹性表面波谐振器。2.如申请专利范围第1项之弹性表面波装置,其中,形成前述具正频率温度特性的膜,以覆盖串联于前述弹性表面波滤波器的前述一端子对弹性表面波谐振器的至少1个,前述一端子对弹性表面波谐振器的反谐振频率,系存在于前述弹性表面波滤波器的通带高频侧的衰减区域中。3.如申请专利范围第1项之弹性表面波装置,其中,形成前述具正频率温度特性的膜,以覆盖串联于前述弹性表面波滤波器的前述一端子对弹性表面波谐振器的至少1个,前述一端子对弹性表面波谐振器的谐振频率,系存在于前述弹性表面波滤波器的通带低频侧的衰减区域中。4.如申请专利范围第1项之弹性表面波装置,其中,形成有前述具正频率温度特性的膜,以覆盖前述一端子对弹性表面波谐振器中,串联于弹性表面波滤波器的至少1个一端子对弹性表面波谐振器,该一端子对弹性表面波谐振器的反谐振频率系存在于前述弹性表面波滤波器的通带高频侧的衰减区域中,并形成有前述具正频率温度特性的膜,以覆盖并联于前述弹性表面波滤波器的至少1个一端子对弹性表面波谐振器,该并联的一端子对弹性表面波谐振器的谐振频率,系存在于前述弹性表面波滤波器的通带低频侧的衰减区域中。5.一种弹性表面波装置,其特征在于,具有:压电基板;形成于前述压电基板上的至少1个弹性表面波滤波器;形成于前述压电基板上、串联及/或并联于前述弹性表面波滤波器的至少1个弹性表面波谐振器;亦具备形成于前述压电基板上的至少1个具有第1正频率温度特性的膜,以覆盖前述至少1个一端子对弹性表面波谐振器;以及形成于前述压电基板上、具有第2正频率温度特性的膜,以覆盖前述弹性表面波滤波器;前述具有第2正频率温度特性的膜的厚度较具有第1正频率温度特性的膜的厚度要薄。6.如申请专利范围第5项之弹性表面波装置,其中,形成有前述具第1正频率温度特性的膜,以覆盖串联于前述弹性表面波滤波器的前述一端子对弹性表面波谐振器的至少1个,前述一端子对弹性表面波谐振器的反谐振频率,系存在于前述弹性表面波滤波器的通带高频侧的衰减区域中。7.如申请专利范围第5项之弹性表面波装置,其中,形成有前述具第1正频率温度特性的膜,以覆盖并联于前述弹性表面波滤波器的前述一端子对弹性表面波谐振器的至少1个,前述一端子对弹性表面波谐振器的谐振频率,系存在于前述弹性表面波滤波器的通带低频侧的衰减区域中。8.如申请专利范围第5项之弹性表面波装置,其中,形成有前述具第1正频率温度特性的膜,以覆盖前述一端子对弹性表面波谐振器中,串联于弹性表面波滤波器的至少1个一端子对弹性表面波谐振器,该一端子对弹性表面波谐振器的反谐振频率系存在于前述弹性表面波滤波器的通带高频侧的衰减区域中,并形成有前述具第1正频率温度特性的膜,以覆盖并联于前述弹性表面波滤波器的至少1个一端子对弹性表面波谐振器,该并联的一端子对弹性表面波谐振器的谐振频率,系存在于前述弹性表面波滤波器的通带低频侧的衰减区域中。9.如申请专利范围第1或5项之弹性表面波装置,其中,前述具有正频率温度特性的膜系氧化矽膜。10.如申请专利范围第9项之弹性表面波装置,其中,前述氧化矽膜系SiO2膜。11.如申请专利范围第1或5项之弹性表面波装置,其中,前述压电基板系由36~44YcutX传输LiTaO3基板所构成。12.一种弹性表面波装置之频率调整方法,系用以调整申请专利范围第1或5项之弹性表面波装置的频率,其特征在于:形成有前述具正频率温度特性的膜的一端子对弹性表面波谐振器中,至少1个一端子对弹性表面波谐振器,系藉由对具正频率温度特性的膜进行蚀刻以进行频率调整。图式简单说明:图1,系本发明第1实施例的弹性表面波装置的示意俯视图。图2,系显示用于比较所准备的弹性表面波装置,未形成覆盖一端子对弹性表面波谐振器之SiO2膜的弹性表面波装置的示意俯视图。图3,系显示第1实施例的弹性表面波装置的频率特性的图。图4,系显示比较例1的弹性表面波装置的频率特性的图。图5,系显示第1实施例中,使温度在-25℃~+75℃范围中变化时的频率特性变化的图。图6,系显示比较例1之弹性表面波装置中,使温度在-25℃~+75℃范围中变化时的频率特性变化的图。图7,系显示第1实施例所使用的弹性表面波滤波器单体中,使温度从-25℃变化至+75℃时的频率特性变化的图。图8,系显示第1实施例中所使用的一端子对弹性表面波谐振器单体中,使温度从-25℃变化至+75℃时的频率特性变化的图。图9,系显示用于比较例1的弹性表面波装置的一端子对弹性表面波谐振器单体中,使温度从-25℃变化至+75℃时的频率特性变化的图。图10,系用以说明第2实施例的弹性表面波装置的电路结构的示意俯视图。图11,系用以说明比较例2的弹性表面波装置的图,未形成覆盖一端子对弹性表面波谐振器的SiO2膜的弹性表面波装置的示意俯视图。图12,系显示第2实施形态中,使温度从-25℃变化至75℃时的频率特性变化的图。图13,系显示在比较例2中,使温度从-25℃变化至+75℃时的频率特性变化的图。图14,系用以说明本发明第3实施例的弹性表面波装置的示意俯视图。图15,显示本发明的第3实施例的弹性表面波装置中,使温度从-25℃变化至+75℃时的频率特性变化的图。图16,系习知例的频率特性图,显示在36YcutX传输LiTaO3基板上构成纵耦合型3IDT型的谐振器滤波器时的频率特性。图17,系显示图16所示的弹性表面波滤波器中,积层以电极指间距所定波长的15%厚度的SiO2膜时的频率特性的图。 |
