| 主权项 |
1.用以改善阴极射线管之电子枪中电子形成区之构造,该电子形成区包括:一G1控制极,该G1控制极系设置于邻近该电子枪之一阴极之位置,其上设有与该阴极呈直线排列之极孔,俾该阴极所产生之带能量电子,可贯穿其中;一G3焦聚电极,该G3焦聚电极上邻近该G1控制极之一侧上设有与该阴极呈直线排列之极孔,俾该等带能量之电子,可贯穿其中;一G2屏极,该G2屏极系设于该G1控制极及G3焦聚电极间,其上设有与该阴极呈直线排列之极孔,该G2屏极之极孔孔径,在邻近该G3焦聚电极之一侧,系大于邻近该G1控制极之另侧,俾该带能量之电子,能依序贯穿该G1控制极、G2屏极G3焦聚电极及G3焦聚电极G2屏极上之对应极孔,且在该G2屏极上被施以电压时,该G2屏极之极孔在面向该G1控制极之低电压侧,将对电子形成一发散透镜,令电子行经路径偏离该阴极与该等极孔间对应排列之直线,该G2屏极面向该G3焦聚电极之高电压侧,将对电子形成一较大直径之会聚透镜,令电子行经路径较平行于该阴极与该等极孔间对应排列之直线。2.如申请专利范围第1项所述之用以改善阴极射线管之电子枪中电子形成区之构造,其中该G2屏极之极孔孔径,自邻近该G3焦聚电极之一侧,至邻近该G1控制极之另侧间,系依序形成至少二个以上呈阶梯状渐次缩小扩大之孔径。3.如申请专利范围第1项所述之用以改善阴极射线管之电子枪中电子形成区之构造,其中该G2屏极之极孔孔径系沿该G3焦聚电极之一侧呈锥状渐次扩大之孔径。图式简单说明:第1图乃传统阴极射线管之电子枪在其电子束形成区内各电极排列之剖面示意图;第2图乃阴极射线管之剖面示意图;第3图乃阴极射线管之电子枪中各电极零件之组立示意图;第4图乃本发明之一较佳实施例中电子枪在其电子束形成区内各电极排列之剖面示意图;第5图乃本发明之另一较佳实施例中电子枪在其电子束形成区内各电极排列之剖面示意图;第6图乃本发明之又一较佳实施例中电子枪在其电子束形成区内各电极排列之剖面示意图; |
