| 主权项 |
1.一种分离闸极快闪记忆体之制造方法,该方法包括下列步骤:提供一基底,该基底已依序形成一穿隧氧化层、一第一导体层、一闸介电层、一第二导体层与一顶盖层;图案化该顶盖层与该第二导体层,直到暴露该闸介电层;于该基底上形成一第一图案化光阻层,该第一图案化光阻层暴露预定形成一源极区之区域;以该第一图案化光阻层、图案化之该顶盖层与图案化之该第二导体层为罩幕,蚀刻该闸介电层与该第一导体层直到暴露该穿隧氧化层;以该第一图案化光阻层、图案化之该顶盖层与图案化之该第二导体层为罩幕,于该基底中形成该源极区;移除该第一图案化光阻层;于图案化之该顶盖层、图案化之该第二导体层与该第一导体层之侧壁形成一第一间隙壁;于该基底上形成一第二图案化光阻层,该第二图案化光阻层暴露预定形成一汲极区之区域;以该第二图案化光阻层、具有该第一间隙壁之图案化之该顶盖层与图案化之该第二导体层为罩幕,蚀刻该闸介电层与该第一导体层直到暴露该穿隧氧化层;移除该第二图案化光阻层;进行一热氧化制程,使该第一导体层突出该第二导体层之一转角具有尖锐的外型;于该第一间隙壁与该第一导体层之侧壁形成一第二间隙壁;于具有该转角之该第二导体层侧壁上形成一第三导体层;以及于该基底中形成该汲极区。2.如申请专利范围第1项所述之分离闸极快闪记忆体之制造方法,其中该第一导体层系作为一浮置闸极。3.如申请专利范围第1项所述之分离闸极快闪记忆体之制造方法,其中该第二导体层系作为一控制闸极。4.如申请专利范围第1项所述之分离闸极快闪记忆体之制造方法,其中该第三导体层系作为一选择闸极。5.如申请专利范围第1项所述之分离闸极快闪记忆体之制造方法,其中该闸介电层之材质包括氧化矽/氮化矽/氧化矽。6.如申请专利范围第1项所述之分离闸极快闪记忆体之制造方法,其中于形成该第一导体层步骤之后与形成该闸介电层之步骤之前更包括进行一蚀刻制程移除该第一导体层表面之原生氧化物。7.如申请专利范围第6项所述之分离闸极快闪记忆体之制造方法,其中该蚀刻制程系以稀释氢氟酸作为蚀刻剂。8.如申请专利范围第1项所述之分离闸极快闪记忆体之制造方法,其中该第一间隙壁之材质包括以四-乙基-邻-矽酸酯/臭氧为反应气体源,利用化学气相沈积法所形成之氧化矽。9.如申请专利范围第1项所述之分离闸极快闪记忆体之制造方法,其中该第二间隙壁之材质包括以四-乙基-邻-矽酸酯/臭氧为反应气体源,利用化学气相沈积法所形成之氧化矽。10.如申请专利范围第1项所述之分离闸极快闪记忆体之制造方法,其中该第一导体层、该第二导体层与该第三导体层之材质包括掺杂多晶矽。11.一种分离闸极快闪记忆体之结构,该结构:一控制闸极,该控制闸极设置于一基底上;一浮置闸极,该浮置闸极设置于该基底与该控制闸极之间,该浮置闸极之一第一侧边与该控制闸极对齐,该浮置闸极之一第二侧边突出该控制闸极,且该浮置闸极突出该控制闸极之一转角具有尖锐的外型;一间隙壁,该间隙壁设置于该控制闸极与该浮置闸极之侧壁上;一源极区,该源极区设置于该浮置闸极之该第一侧边之该基底中;一汲极区,该汲极区设置于该浮置闸极之该第二侧边之该基底中;以及一选择闸极,该选择闸极设置于该间隙壁与该汲极区之间的该基底上12.如申请专利范围第11项所述之分离闸极快闪记忆体之结构,其中该控制闸极上更包括一顶盖层。13.如申请专利范围第11项所述之分离闸极快闪记忆体之结构,其中该控制闸极与该浮置闸极之间更包括一闸介电层。14.如申请专利范围第13项所述之分离闸极快闪记忆体之结构,其中该闸介电层之材质包括氧化矽/氮化矽/氧化矽。15.如申请专利范围第11项所述之分离闸极快闪记忆体之结构,其中该浮置闸极与该基底之间更包括一穿隧氧化层。16.如申请专利范围第11项所述之分离闸极快闪记忆体之结构,其中该间隙壁之材质包括氧化矽。17.如申请专利范围第11项所述之分离闸极快闪记忆体之结构,其中该控制闸极、该浮置闸极与该选择闸极之材质包括掺杂多晶矽。图式简单说明:第1图为绘示一种习知之分离闸极快闪记忆体之剖面结构图。第2A图至第2F图所绘示为本发明较佳实施例之一种分离闸极快闪记忆体之制造剖面流程图。第3图为绘示一种本发明之分离闸极快闪记忆体之剖面结构图。 |
