| 摘要 |
<P>L'invention concerne un générateur (20) de courant (I (Vref1) ) ou de tension (Vref1, Vref2) intégré sur une plaquette de silicium, comprenant un premier élément (CE1) comprenant un premier transistor NMOS (TN1) ayant sa source reliée à la masse par l'intermédiaire d'une résistance électrique (R1), un second élément (CE2') comprenant un second transistor NMOS (TN2) ayant sa source reliée à la masse, et un circuit de polarisation (BCT) du premier et second éléments. Selon l'invention, le second élément (CE2') comprend un diviseur de tension (Pd, R2, R3), la grille du second transistor NMOS (TN2) est reliée à un noeud diviseur (15) du diviseur de tension, et l'anode (Vb) du diviseur de tension est reliée à la grille du premier transistor NMOS (TN1). Avantage : polarisation des deux éléments sur un point de fonctionnement correspondant à un point de stabilité en température identique pour les deux éléments. </P>
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