| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de traitement au plasma comprenant les étapes suivantes : attaque d'un film isolant présent sur un film contenant du Si (couche barrière); nettoyage dans une chambre de traitement et calcination d'un résist ; ou bien les étapes suivantes : attaque d'un film isolant présent sur la couche barrière et calcination d'un résist dans des chambres de traitement séparés. Dans chaque cas, la calcination d'un résist est effectuée avec un plasma d'un mélange gazeux comprenant en majorité du N2 et une faible quantité de H2. Dans le cas où l'attaque d'un film isolant présent sur un film situé sur la couche barrière est directement suivie par la calcination d'un résist sur le film isolant, un matériau (un radical F ou similaire) réagissant avec la couche barrière est produit à partir de sous-produits formés lors de l'étape d'attaque et appliqué sur un article (une pièce) dans la chambre de traitement, ce qui a pour effet d'attaquer la couche barrière.</p> |
