发明名称 INCREASING A REFRESH PERIOD IN A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要 <p>Dans un mode de réalisation, la présente invention concerne un procédé permettant de polariser une ligne de bits de référence et d'augmenter la période de rafraîchissement d'une cellule de mémoire vive dynamique (DRAM). Dans un exemple particulier de ce procédé, cette polarisation de la ligne de bits de référence est réalisée par application d'une tension de polarisation prédéterminée. Dans un autre mode de réalisation, l'invention concerne une mémoire équipée d'un circuit de polarisation comprenant un condensateur de polarisation connecté à une ligne de bits, est conçu et aménagé de manière à recevoir un signal de polarisation.</p>
申请公布号 WO2003058635(A1) 申请公布日期 2003.07.17
申请号 KR2003000051 申请日期 2003.01.10
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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