发明名称 |
Spannungsgenerator für eine Halbleiterspeichereinrichtung |
摘要 |
Ein Spannungsgenerator für eine Halbleiterspeichereinrichtung, welche die Ansteuerbarkeit eines Ausgangstreibers durch Steuern eines Gates des Ausgangstreibers zum Variieren zwischen einer internen Leistungsversorgungsspannung und einer Bezugsspannung verbessert, ist offenbart. Der Spannungsgenerator weist einen Ausgangsspannungscontroller zum Erzeugen eines Pull-Up-Signals zum Steuern eines Pull-Up-Betriebs und ein Pull-Down-Signal zum Steuern eines Pull-Down-Betriebs auf, wobei das Pull-Up-Signal einen Pegel im Wesentlichen gleich einer internen Leistungsversorgungsspannung aufweist, wenn eine Zellenanodenspannung höher als eine Zellenanodenreferenzspannung ist, und einen Pegel unter der Zellenanodenspannung aufweist, wenn die Zellenanodenspannung niedriger als die Zellenanodenreferenzspannung ist. Der Spannungsgenerator weist außerdem einen Ausgangstreiber zum Erzeugen einer stabilen Zellenanodenspannung in Abhängigkeit von dem Pull-Up-Signal und dem Pull-Down-Signal auf.
|
申请公布号 |
DE10243754(A1) |
申请公布日期 |
2003.07.17 |
申请号 |
DE20021043754 |
申请日期 |
2002.09.20 |
申请人 |
HYNIX SEMICONDUCTOR INC., ICHON |
发明人 |
LEE, JAE JIN;LEE, KANG SEOL |
分类号 |
G05F3/24;G11C5/14;G11C7/10;G11C11/407;G11C11/4074;G11C11/4096;H02M3/07;(IPC1-7):G11C7/12 |
主分类号 |
G05F3/24 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|