发明名称 |
Halbleitervorrichtung mit einer ESD-Schutzvorrichtung |
摘要 |
Eine Schutzschaltung enthält einen Schwebegate-MOSFET (104) mit einem Source-Drain-Pfad, der zwischen einer I/O-Leitung (102) und einer Quellenleitung oder einer Masseleitung (VSS) angeschlossen ist, ein mit der I/O-Leitung (102) verbundenes Steuergate (105) und ein mit der Quellenleitung oder der Masseleitung (VSS) verbundenes Schwebegate (106). |
申请公布号 |
DE10228337(A1) |
申请公布日期 |
2003.07.17 |
申请号 |
DE2002128337 |
申请日期 |
2002.06.25 |
申请人 |
NEC ELECTRONICS CORP., KAWASAKI |
发明人 |
HIRATA, MORIHISA |
分类号 |
H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/822;H01L21/8238;H01L23/60;H01L23/62;H01L27/02;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/092;H01L27/115;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;H02H3/22;H02H7/20;H03K17/08;H03K19/003;(IPC1-7):H01L23/60 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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